南 不二雄 | 東工大院理工

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 南 不二雄

  東工大院理工

• 小川 佳宏

  東工大院理工

• 南 不二夫

  東工大理

• 南 不二雄

  東工大理

• 南 不二雄

  北大応電研

• 井上 久遠

  北大電子研

• 黒田 隆

  東工大院理工

• 長谷川 敦司

  情通機構

• 嵐田 雄介

  東工大院理工

• 小口 信行

  物・材機構

• 山際 正和

  東工大院理工

• 山際 正和

  (株)東芝研究開発センター

• 田原 弘量

  東工大院理工

• 佐々木 雅英

  情報通信機構

• 黒田 隆

  東工大理

• 岸本 直

  東工大院理工

• 黒田 隆

  物材機構

• 佐々木 雅英

  情通機構

• 高橋 聡

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 高橋 聡

  東工大院理工

• 松下 俊一

  東工大理

• 三森 康義

  通総研

• 秋永 広幸

  Jrcat融合研

• 吉野 淳二

  東工大院理工

• 吉野 淳二

  東工大

• 吉野 淳二

  東工大・工

• 三森 康義

  東工大院理工

• 滝田 宏樹

  筑波大物質工

• 黒田 眞司

  筑波大物質工

• 佐藤 新

  東工大院理工

• 黒田 眞司

  筑波大学物質工学系

• 腰原 伸也

  東工大院理工

• 竹川 俊二

  無機材研

• 秋永 広幸

  JRCAT

• 小川 佳宏

  京都大学付属病院 内分泌・代謝内科

• 吉田 幸司

  北大電子科研

• 都鳥 顕司

  北大理

• 山本 和憲

  北大電子研

• 都鳥 顕司

  (株)東芝研究開発センター

• 高橋 輝

  東工大院理工

• 長谷川 敦司

  通総研

• 河田 剛

  東工大院理工

• 石川 忠彦

  東工大院理工

• 伊東 宏之

  京大化研

• 三森 康義

  東北大通研

• 山際 正和

  物・材機構

• 寺井 慶和

  阪大院工

• 赤羽 浩一

  情通機構

• 山中 明生

  北大電子研

• 寺井 慶和

  筑波大物質

• 佐々木 雅英

  通総研

• 沢田 勉

  無機材研

• 吉田 幸司

  北大電子研

• 藤嶋 敏之

  東工大院理工

• 寺井 慶和

  物質・材料研究機構

• 細谷 剛

  東工大院理工

• 池田 賢元

  東工大院理工

• 小林 潔

  筑波大・物理系

• 花澤 孝宏

  東工大院理工

• 山本 直克

  情報通信研究機構

• 湯浅 譲

  東工大院理工

• 木平 孝和

  東工大院理工

• 南 不二雄

  北大電子研

• 迫田 和彰

  物材機構量子ドットセンター

• 宮崎 英樹

  物質・材料研究機構

• 佐々木 雅英

  NICT

• 黒田 隆

  北大電子研

• 宮崎 英樹

  物材機構

• 宮嵜 博司

  東北大院工

• 笠谷 岳士

  物材機構

• 迫田 和彰

  物材機構

• 長谷川 延正

  東工大理

• 中川 淳

  東工大院理工

• 片山 浩一

  東工大院理工

• 丸木 浩代

  東工大院理工

• 伊東 宏之

  東工大理

• 小池 洋二

  東北大工

• 藤原 明比古

  東大理

• 間野 高明

  東大院工

• 田中 翔一

  東工大院理工

• 腰原 伸也

  東工大理

• 秋永 広幸

  融合研

• 藤原 明比古

  東北大工

• 関口 洋義

  東工大院理工

• 間野 高明

  物質・材料研究機構

• 間野 高明

  (独)物質・材料研究機構

• 大久保 優

  東工大院理工

• 山本 直克

  情通機構

• 小口 信行

  物質・材料研究機構

• 齋藤 好民

  東北大・工

• 早瀬 潤子

  情通機構

• Baranov A.V

  ロシア国立光学研

• 栗林 亮介

  北大電子研

• 澤田 勉

  物・材機構

• 柳原 高広

  東工大院理工

• 河原 亮

  九大理

• 岩松 明宏

  東工大院理工

• 倉沢 充

  東工大院理工

• 齋藤 文芳

  東工大院理工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 宮西 晋太郎

  JRCAT

• 瀬戸 悟

  石川工業高等専門学校電気工学科

• 西周 慶久

  東工大院理工

• 末宗 幾夫

  北大電子研

• 斎藤 好民

  東北大工

• 中山 毅

  北大電子研

• 飛岡 秀明

  東工大院理工

• 神馬 洋司

  日大工

• 田中 裕二

  東工大院理工

• 井上 久遠

  北大電子科研

• 麻山 展男

  北大電子研

• 長尾 哲

  三菱化学オプトエレクトロニクス研究所

• 都烏 顕司

  (株)東芝研究開発センター

• 渡邉 克之

  東大ナノ量子機構

• 大高 一雄

  千葉大学先進科学センター

• Baranov A.V.

  ロシア国立光学研

• 古谷 孝

  北大電子研

• 沢田 勉

  国立物・材機構

• 宮西 晋太郎

  Jrcat融合研:筑波大物質工

• 斎藤 文芳

  東工大院理工

• 間野 高明

  物・材機構

• 大橋 直樹

  物材機構

• 島野 亮

  東大理

• 赤羽 浩一

  情報通信研究機構

• 小坂 英男

  東北大通研

• 浦野 千春

  産総研

• 筆宝 大平

  東工大量子ナノエレ研セ

• 枝松 圭一

  東北大通研

• 赤羽 浩一

  情報通信機構

• 山本 直克

  情報通信機構

• 大谷 直毅

  同志社大

• 高木 英典

  東大院新領域 工

• 赤羽 浩一

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 枝松 圭一

  東北大学通研

• 高木 英典

  東大物性研

• 佐々木 雅英

  情報通信研究機構

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 腰原 伸也

  神奈川科学技術アカデミー:東工大理工

• 秋永 広幸

  ナノ機能合成プロ産総研

• 秋永 広幸

  産業技術総合研究所

• Baranov A.

  東工大院理工

• 島野 亮

  東大工

• 五神 真

  東大工

• 榊 裕之

  東京大学生産技術研究所

• 榊 裕之

  東大先端研

• 榊 裕之

  東大先端研:新技術事業団

• 榊 裕之

  東京大学先端科学技術研究センター

• 榊 裕之

  (社)応用物理学会

• 秋永 広幸

  産総研ナノテク

• 後藤 秀樹

  三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部

• 長尾 哲

  三菱化成総研

• 後藤 秀樹

  三菱化成総研

• 井上 優一

  三菱化成総研

• 天内 英貴

  三菱化学オプト技開セ

• 長尾 哲

  三菱化学オプト技開セ

• 榊 裕之

  東大生研

• 天内 英貴

  三菱化学科学技術研究センター

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 小口 信行

  物材機構

• 林 正貴

  北大電子科研

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学

• 宗片 比呂夫

  東工大像情報

• 瀧田 宏樹

  筑波大物質工

• 高野 史好

  産業技術総合研究所

• 山中 明生

  北大電子科研

• 林 正貴

  北大電子研

• 斉藤 好民

  東北大工

• 斉藤 好民

  東北大 工 応物

• 桑田 真

  東京大学大学院 工学系研究科

• 山田 紘

  (株)東芝研究開発センター

• 立川 篤

  東工大理

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設

• 宗片 比呂夫

  東工大・像情報

• 宗片 比呂夫

  東大大工

• 高野 史好

  ナノ機能合成プロ

• 小川 佳宏

  東工大理工院

• 井上 久遠

  北海道大学電子科学研究所

• 山本 和憲

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• 南 不二雄

  東大理

• 大谷 直毅

  情通機構

• 早瀬 潤子

  情報通信研究機構

• 長谷川 敦司

  情報通信研究機構

• 三森 康義

  情報通信研究機構

• 横山 大輔

  東工大院理工

• 三森 康義

  東北大学通研

• 田中 隆介

  東北大学通研

• 大橋 直樹

  物材研

• 大岩 顕

  科技団さきがけ

• 赤羽 浩一

  (独)情報通信研究機構

• 大橋 直樹

  物質・材料研究機構物質研究所 電子材料ブループ

• 大橋 直樹

  Department Of Materials Science And Engineering Massachusetts Institute Of Technology:物質・材料研究機構物質研究所

• 藤安 洋

  静岡大工

• 水野 正朝

  東工大理

• 黒田 隆

  物・材機構

• 田丸 勇治

  東工大院理工

• 浦野 千春

  東大物性研

• 美濃 亮子

  東工大理

• 西村 崇

  東工大理

• 佐々木 雅美

  情報通信研究機構:crest

• 佐々木 雅美

  情通機構

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著作論文

• 22pPSB-29 単一GaAs量子ドット内の多励起子状態による相関光子対放出(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 20pHK-8 CdSe/ZnSコア-シェル型量子ドットの発光寿命の粒子濃度依存性(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22pPSB-1 チップ増強型ラマン分光プローブの作成(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 27aPS-101 近接場分光法を用いたフォトニック結晶中の光伝播特性の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21aHL-5 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
• 23pPSB-32 Ge/Si量子ドットの顕微ラマン分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 28a-ZH-8 GaAs/AlInP量子井戸のバンドオフセット
• 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
• 櫛田孝司, 光物性物理学, 朝倉書店, 東京, 1991, viii+216p., 21.5×15.5 cm, 4,429円 [大学上級および大学院初級向き教科書]
• 15a-DC-4 ブリュースター角度入射配置の反射スペクトルに見られる、薄膜および超格子中の励起子構造
• 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(領域5,領域1合同講演 フォトニック結晶,顕微,近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
• 30p-N-4 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : ホール濃度依存性
• 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aHQ-1 GaSeの四光波混合信号に見られる運動による尖鋭化の時間分解測定(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 27pXB-3 GaSeの四光波混合信号に見られるスペクトルの尖鋭化(超高速現象,領域5,光物性)
• 25aXB-11 散乱型ANSOM法による金微小球の近接場光強度と位相分布の観測(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 25aXB-10 散乱型ANSOM法による半導体量子ドットの誘電率分布の測定(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 28pPSB-10 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの誘電率分布の測定(28pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22aPS-91 チップ増強発光法を用いた金回折格子の表面プラズモンの観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27aYC-15 CdTe自己形成ドットにおける顕微時間分解発光
• 30p-W-18 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象III : 四光波混合法による励起子分子の生成
• 28a-YQ-12 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象II : 自由誘導減衰と四光波混合の比較
• 5p-YE-6 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性II
• 30p-WB-7 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性
• 13a-T-7 Bi系超伝導体における電子ラマン散乱のキャリア濃度依存性
• 30a-W-3 Bi_2Sr_2CaCu_2O_Brインターカレーション化合物の電子ラマン散乱
• 27a-PS-5 Bi系超伝導体における電子ラマン散乱スペクトルの温度依存性IV
• 19pPSB-29 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性2(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-37 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-31 CdTe量子ドットにおける四光波混合(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-30 ヘテロダイン検出による多光波混合II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21aYD-1 固体中のフェムト秒パルス伝播(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
• 20pPSA-28 ヘテロダイン検出による多光波混合(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 13pPSA-33 半導体中の励起子における Non-Markov 過程と decoherence(領域 5)
• 13aXA-6 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(実験)(超高速現象, 領域 5)
• 13aXA-5 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(理論)(超高速現象, 領域 5)
• 22pPSA-22 2 次元半導体における多光波混合 2
• 29aYE-9 2 次元半導体における多光波混合
• 24aRG-10 InGaN薄膜の局在励起子発光におけるチップ増強効果(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 13pPSA-34 コヒーレント制御のためのフェムト秒パルス整形(領域 5)
• 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
• 22pPSA-46 ワイドギャップ半導体の二光子共鳴励起分光
• 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
• 13pPSA-28 ヘテロダイン検出法によるフォトンエコーの観測(領域 5)
• 12pXC-2 半導体量子アイランドにおける四光波混合(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
• 20aWB-5 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合 II
• 29aYE-6 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合
• 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
• 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
• 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
• 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
• 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
• 31aYE-1 GaAs 量子ドットのサブレベル間緩和過程
• 25pPSB-61 顕微分光法によるCdSe/ZnS Core-Shell型半導体量子ドットのスペクトル拡散の測定(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 25pPSB-60 単一GaAs量子ドットの多励起子準位構造の研究(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 8a-E-19 二価鉄スピンクロスオーバー錯体の光誘起双方向転移のダイナミクス
• 1a-N-12 GaAs/AlAs短周期超格子中の圧力誘起α-γ交差
• 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
• 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
• 28a-YP-19 CdTe自己形成量子点の顕微分光
• 28p-YB-10 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象2
• 銅ハライド微結晶におけるピコ秒共鳴発光
• 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象
• 28a-YQ-9 ZnSeの2P励起子の微細構造II
• 4a-G-7 ZnSe2p励起子の微細構造
• 25pPSB-64 チップ増強ラマン分光法を用いた半導体ナノ構造の観察(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 24pRC-16 四光波混合法によるZnSeの時間分解スペクトルの測定(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
• 23pRE-9 異方的量子ドット内の荷電励起子分子による量子もつれ(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 23aRE-1 散乱型ANSOM法によるInAs量子ドットからの誘電率分布の観測(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 22aWA-10 多量子ビットの位相緩和解析(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
• 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
• 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
• 27aYA-7 GaSeの時間分解フォトンエコー
• 27aYA-6 コヒーレント制御法を用いた励起子からの過渡的反射パルスの時聞形状の観測
• 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
• 23pSB-2 CdMnTe磁気ポーラロン発光における高密度効果 II
• 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
• 24pC-3 Cd_Mn_xTe自己組織化量子ドットの発光スペクトル(II)
• 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
• 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
• 31p-YG-8 半導体微粒子における蓄積フォントエコー現象
• 29p-R-4 ZnMnSeにおけるエネルギー移動過程
• 量子井戸構造におけるMn^d-d遷移
• 2p-Z-7 ZnSe量子井戸におけるコヒーレント過渡現象
• 半導体における光第2高調波の共鳴発生
• 8a-E-10 (Ga, Mn)Asの発光特性
• 8a-E-6 CdMnTeにおけるフェムト秒光パルス励起フェラデー回転の観測
• 27aPS-80 単一CdSe/CdSコアーシェル型ナノロッド発光の顕微分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aXB-9 GaAs量子ドットにおける多励起子状態の偏光相関(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 30aPS-22 ZnSe系半導体の共鳴二光子励起分光(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 17pRE-10 半導体量子アイランド中の励起子位相緩和
• 27pYA-4 ZnSe薄膜の励起予共嶋ハイパーレイリー散乱の偏光依存性II
• 23pN-3 ZnSe薄膜の励起子共鳴ハイパーレイリー散乱の偏光依存性
• 25aPS-80 空間光変調器によるフォトニック結晶中の光パルス伝播の制御(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27pXQ-8 フォトニック結晶中のパルス伝播(領域5,領域1合同 : フォトニック結晶)(領域5)
• 27pXQ-8 フォトニック結晶中のパルス伝播(フォトニック結晶)(領域5,領域1合同)
• 18pRF-12 フォトニック結晶中の光パルス伝播
• 18pRF-12 フォトニック結晶中の光パルス伝播
• 28a-H-6 ZnSe薄膜結晶の禁制配置における前方共鳴SHGの観測と強度
• 12p-DD-9 ZnS薄膜における共鳴SHGI 禁制配置での観測と二光子吸収との相関
• 26a-ZE-13 ZnSe/ZnS歪超格子中の共鳴SHG
• 22aPS-89 フォノンと相互作用する局在光の2次元格子モデルII(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21aTR-7 2次元格子プローブモデルにおけるフォノンと相互作用する近接場光(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
• 30aVD-7 チップ増強ラマン分光によるGe/Si量子ドットの表面観測(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 22aPS-90 InGaNにおけるチップ増強発光の観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
• 26aPS-22 時間分解フォトンエコー法によるGaSeの量子ビートの観測(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aPS-23 GaAs多重量子井戸におけるHH-LH量子ビートの時間分解測定とコヒーレント制御(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSA-85 光ヘテロダイン法によるGaAs量子井戸中のHH-LH量子ビートの計測(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aYB-10 層状半導体におけるスピン量子ビートの観測III
• 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
• 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
• 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
• 30pPSA-48 マスクを用いた低密度量子ドット顕微分光スペクトル
• 29aPS-116 希薄磁性半導体 (Cd, Mn) Te における光照射効効果 II
• 29aPS-116 希薄磁性半導体 (Cd, Mn)Te における光照射効効果 II
• 27aYA-8 固体中のフェムト秒パルス光伝播III
• 29pTC-3 CdMnTe磁気ポーラロン発光における高密度効果III
• 20pPSA-18 半導体GaAsにおけるフェムト秒パルスの伝播特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20aHQ-2 GaAs量子井戸における四光波混合信号スペクトルの尖鋭化(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• W. Demtroder, Laser Spectroscopy Vol. 1; Basic Principle, Fourth edition, Springer, Germany, 2008, xxi+457p, 24.0×16.0cm, 〓79.95, [大学院向], ISBN978-3-540-73415-4 / W. Demtroder, Laser Spectroscopy Vol. 2; Experimental Techniques, Fourth edition, Springer, G
• 30aVD-6 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 22aPS-92 GaAs量子ドットにおける多数のカスケード遷移過程(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aPS-76 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSA-84 光ヘテロダイン法を用いた半導体GaSeの時間分解フォトンエコー信号の形状(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21pTQ-8 GaAs多重量子井戸におけるHH-LH量子ピートのコヒーレント制御(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 23aN-13 固体中のフェムト秒パルス光伝播 II
• 26aYB-11 固体中のフェムト秒パルス光伝播
• 19pPSB-28 GaAs多重量子井戸における位相緩和のコヒーレント制御2(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aPS-21 散逸環境下における量子ドット間のスピン-エネルギー転送過程の耐性と脆弱性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSB-8 近接場光を用いた量子ドット系のスピン-励起エネルギー転送過程II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-83 近接場光を用いた量子ドット系のスピン-励起エネルギー転送過程(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22pK-2 CdMnTe中の磁気ポーラロン発光における強励起効果
• 26aHA-7 四光波混合法によるZnSe薄膜の励起子ラビ振動の観測(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 26aHA-6 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果II(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 25aHA-3 散乱型ANSOM法による金薄膜の表面プラズモンポラリトンの観測(25aHA 顕微・近接場分光/高密度励起現象,領域5(光物性))
• 28a-H-9 ブリュースター角度入射配置の反射パルスの時間形状に見られる励起子コヒーレント過渡現象
• 30p-R-9 GaSe励起子における四光波混合に見られる励起子多体効果
• 26a-ZE-12 GaSe中サブピコ秒フォトン・エコーの時間形状II
• 25pPSA-73 散乱型ANSOM法による金薄膜の近接場光の強度と位相の観測(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pHB-11 強度相関法によるGaAs量子ドット内の多励起子状態の微細構造(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22aRB-4 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの混晶効果の測定(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 21pPSB-49 チップ増強ラマン散乱分光法によるGeナノワイヤの観察(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22aRB-2 干渉法を用いた散乱型ANSOM法による金薄膜の複素誘電率の観測(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 21aRB-8 ZnSe薄膜の四光波混合信号に見られる励起子ポラリトンのスペクトル変動(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
• 23aTN-12 四励起子の束縛状態によるカスケード遷移過程(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 21pPSA-40 InGaN薄膜のバンド間励起発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSA-27 GaAs量子アイランド中の励起子の時間分解フォトンエコー(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-60 GaAs多重量子井戸中の励起子分極の非指数関数的減衰(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-48 時間分解フォトンエコーシグナルに現れた振動構造に関する考察(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 19pPSB-23 光ヘテロダイン法を用いたGaAs量子井戸中の六光波混合(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27pBL-9 単一量子ドット内の荷電三励起子分子による三光子偏光相関(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 24pPSA-48 CaSe薄膜におけるチップ増強発光の観測(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20aHB-7 GaAs量子井戸における励起子間散乱による位相緩和のコヒーレント制御(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))
• 20pFJ-1 多重積層InAs量子ドットにおける励起子状態の歪み依存性(20pFJ 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 24pPSA-54 GaAs量子井戸における励起子間散乱のコヒーレント制御(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 18aPSB-38 単一GaAs量子ドットにおける第二レベル発光の偏光状態(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
• 18pPSB-22 ZnSe/ZnMgSSe超格子の周波数分解四光波混合(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性))
• 18aPSB-53 自己形成型単一CdSe/ZnSe量子ドットの多励起子発光(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
• 28pPSB-20 時間積分六光波混合によるZnSeの位相緩和過程の抑制(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
• 28pPSA-38 自己形成型CdSe/ZnSe量子ドットの発光およびラマン散乱におけるチップ増強効果(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
• 28pPSA-37 干渉法による単一GaAs量子ドットの励起子分極の緩和時間の測定(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
• 28pPSA-29 単一GaAs量子ドットにおける多励起子状態の励起過程(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
• 27pEJ-5 六光波混合法を用いたInAs量子ドットの励起子分子ビートの制御(27pEJ 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 24pPSA-49 散乱型ANSOM法による金ナノ構造のヘテロダイン測定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 9aSG-9 半導体量子アイランドにおける励起子分極のラビ振動II(微粒子・ナノ結晶,領域5)
• 8aSJ-10 位相緩和とエネルギー緩和(光誘起相転移,領域5)
• 8aSJ-9 固体中のフェムト秒パルス伝播における非線形光学応答(光誘起相転移,領域5)
• 7pPSA-73 マスクを用いた量子ドット顕微発光信号の観測(領域5)
• 27aDB-6 四光波混合信号における励起子ポラリトンのスペクトル変動の解析(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))
• 26aDB-8 InAs量子ドットにおける励起子の非マルコフ位相緩和(微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 8pSB-4 量子ドットにおける多励起子ダイナミクス(主題:半導体量子構造のスピン状態と量子伝導,合同シンポジウム,領域4,領域3,領域5,領域4)

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