28a-ZH-8 GaAs/AlInP量子井戸のバンドオフセット
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
-
南 不二雄
東工大院理工
-
後藤 秀樹
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス事業部
-
長尾 哲
三菱化成総研
-
後藤 秀樹
三菱化成総研
-
中山 毅
北大電子研
-
南 不二雄
北大電子研
-
井上 優一
三菱化成総研
-
長尾 哲
三菱化学オプトエレクトロニクス研究所
-
南 不二夫
東工大理
関連論文
- 22pPSB-29 単一GaAs量子ドット内の多励起子状態による相関光子対放出(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 20pHK-8 CdSe/ZnSコア-シェル型量子ドットの発光寿命の粒子濃度依存性(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 22pPSB-1 チップ増強型ラマン分光プローブの作成(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 27aPS-101 近接場分光法を用いたフォトニック結晶中の光伝播特性の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aHL-5 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 23pPSB-32 Ge/Si量子ドットの顕微ラマン分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 28a-ZH-8 GaAs/AlInP量子井戸のバンドオフセット
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 櫛田孝司, 光物性物理学, 朝倉書店, 東京, 1991, viii+216p., 21.5×15.5 cm, 4,429円 [大学上級および大学院初級向き教科書]
- 15a-DC-4 ブリュースター角度入射配置の反射スペクトルに見られる、薄膜および超格子中の励起子構造
- 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(領域5,領域1合同講演 フォトニック結晶,顕微,近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
- 30p-N-4 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : ホール濃度依存性
- 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aHQ-1 GaSeの四光波混合信号に見られる運動による尖鋭化の時間分解測定(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 27pXB-3 GaSeの四光波混合信号に見られるスペクトルの尖鋭化(超高速現象,領域5,光物性)
- 25aXB-11 散乱型ANSOM法による金微小球の近接場光強度と位相分布の観測(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 25aXB-10 散乱型ANSOM法による半導体量子ドットの誘電率分布の測定(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 28pPSB-10 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの誘電率分布の測定(28pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-91 チップ増強発光法を用いた金回折格子の表面プラズモンの観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aYC-15 CdTe自己形成ドットにおける顕微時間分解発光
- 30p-W-18 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象III : 四光波混合法による励起子分子の生成
- 28a-YQ-12 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象II : 自由誘導減衰と四光波混合の比較
- 5p-YE-6 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性II
- 30p-WB-7 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性
- 13a-T-7 Bi系超伝導体における電子ラマン散乱のキャリア濃度依存性
- 30a-W-3 Bi_2Sr_2CaCu_2O_Brインターカレーション化合物の電子ラマン散乱
- 27a-PS-5 Bi系超伝導体における電子ラマン散乱スペクトルの温度依存性IV
- 19pPSB-29 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性2(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-37 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-31 CdTe量子ドットにおける四光波混合(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-30 ヘテロダイン検出による多光波混合II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYD-1 固体中のフェムト秒パルス伝播(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 20pPSA-28 ヘテロダイン検出による多光波混合(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-33 半導体中の励起子における Non-Markov 過程と decoherence(領域 5)
- 13aXA-6 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(実験)(超高速現象, 領域 5)
- 13aXA-5 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(理論)(超高速現象, 領域 5)
- 22pPSA-22 2 次元半導体における多光波混合 2
- 29aYE-9 2 次元半導体における多光波混合
- 24aRG-10 InGaN薄膜の局在励起子発光におけるチップ増強効果(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 13pPSA-34 コヒーレント制御のためのフェムト秒パルス整形(領域 5)
- 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
- 22pPSA-46 ワイドギャップ半導体の二光子共鳴励起分光
- 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
- 13pPSA-28 ヘテロダイン検出法によるフォトンエコーの観測(領域 5)
- 12pXC-2 半導体量子アイランドにおける四光波混合(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
- 20aWB-5 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合 II
- 29aYE-6 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合
- 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 31aYE-1 GaAs 量子ドットのサブレベル間緩和過程
- 25pPSB-61 顕微分光法によるCdSe/ZnS Core-Shell型半導体量子ドットのスペクトル拡散の測定(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25pPSB-60 単一GaAs量子ドットの多励起子準位構造の研究(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 8a-E-19 二価鉄スピンクロスオーバー錯体の光誘起双方向転移のダイナミクス
- 1a-N-12 GaAs/AlAs短周期超格子中の圧力誘起α-γ交差
- 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
- 31p-ZB-2 Cd_Mn_xTe自己形成量子ドットの顕微分光
- 28a-YP-19 CdTe自己形成量子点の顕微分光
- 28p-YB-10 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象2
- 銅ハライド微結晶におけるピコ秒共鳴発光
- 銅ハライド微結晶の二光子共鳴現象
- 28a-YQ-9 ZnSeの2P励起子の微細構造II
- 4a-G-7 ZnSe2p励起子の微細構造
- 25pPSB-64 チップ増強ラマン分光法を用いた半導体ナノ構造の観察(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 24pRC-16 四光波混合法によるZnSeの時間分解スペクトルの測定(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 23pRE-9 異方的量子ドット内の荷電励起子分子による量子もつれ(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23aRE-1 散乱型ANSOM法によるInAs量子ドットからの誘電率分布の観測(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
- 22aWA-10 多量子ビットの位相緩和解析(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
- 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
- 27aYA-7 GaSeの時間分解フォトンエコー
- 27aYA-6 コヒーレント制御法を用いた励起子からの過渡的反射パルスの時聞形状の観測
- 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
- 23pSB-2 CdMnTe磁気ポーラロン発光における高密度効果 II
- 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
- 24pC-3 Cd_Mn_xTe自己組織化量子ドットの発光スペクトル(II)
- 24aC-5 (Ga, Mn)Asにおける円二色性スペクトルのキャリア濃度依存性
- 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
- 31p-YG-8 半導体微粒子における蓄積フォントエコー現象
- 29p-R-4 ZnMnSeにおけるエネルギー移動過程
- 量子井戸構造におけるMn^d-d遷移
- 2p-Z-7 ZnSe量子井戸におけるコヒーレント過渡現象
- 半導体における光第2高調波の共鳴発生
- 8a-E-10 (Ga, Mn)Asの発光特性
- 8a-E-6 CdMnTeにおけるフェムト秒光パルス励起フェラデー回転の観測
- 27aPS-80 単一CdSe/CdSコアーシェル型ナノロッド発光の顕微分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aXB-9 GaAs量子ドットにおける多励起子状態の偏光相関(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)