24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 小川 佳宏

  東工大院理工

• 南 不二雄

  東工大院理工

• 迫田 和彰

  物材機構量子ドットセンター

• 神馬 洋司

  日大工

• 宮崎 英樹

  物質・材料研究機構

• 藤嶋 敏之

  東工大院理工

• 宮崎 英樹

  物材機構

• 宮嵜 博司

  東北大院工

• 笠谷 岳士

  物材機構

• 迫田 和彰

  物材機構

• 宮崎 英樹

  (独)物質・材料研究機構

• 南 不二雄

  東工大院理

関連論文

• 22pPSB-29 単一GaAs量子ドット内の多励起子状態による相関光子対放出(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 20pHK-8 CdSe/ZnSコア-シェル型量子ドットの発光寿命の粒子濃度依存性(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22pPSB-1 チップ増強型ラマン分光プローブの作成(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 27aPS-101 近接場分光法を用いたフォトニック結晶中の光伝播特性の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21aHL-5 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
• 23pPSB-32 Ge/Si量子ドットの顕微ラマン分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 28a-ZH-8 GaAs/AlInP量子井戸のバンドオフセット
• 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
• 櫛田孝司, 光物性物理学, 朝倉書店, 東京, 1991, viii+216p., 21.5×15.5 cm, 4,429円 [大学上級および大学院初級向き教科書]
• 15a-DC-4 ブリュースター角度入射配置の反射スペクトルに見られる、薄膜および超格子中の励起子構造
• 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(領域5,領域1合同講演 フォトニック結晶,顕微,近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
• 30p-N-4 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : ホール濃度依存性
• 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aHQ-1 GaSeの四光波混合信号に見られる運動による尖鋭化の時間分解測定(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 27pXB-3 GaSeの四光波混合信号に見られるスペクトルの尖鋭化(超高速現象,領域5,光物性)
• 25aXB-11 散乱型ANSOM法による金微小球の近接場光強度と位相分布の観測(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 25aXB-10 散乱型ANSOM法による半導体量子ドットの誘電率分布の測定(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 28pPSB-10 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの誘電率分布の測定(28pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22aPS-91 チップ増強発光法を用いた金回折格子の表面プラズモンの観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27aYC-15 CdTe自己形成ドットにおける顕微時間分解発光
• 27aYA-2 (Ga,Mn)Asにおける磁化誘起第二高調波発生(磁性半導体)(領域4)
• 30p-W-18 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象III : 四光波混合法による励起子分子の生成
• 28a-YQ-12 ZnSe超格子におけるコヒーレント過渡現象II : 自由誘導減衰と四光波混合の比較
• 5p-YE-6 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性II
• 30p-WB-7 Bi系超伝導体の電子ラマン散乱 : 超伝導ギャップの異方性
• 13a-T-7 Bi系超伝導体における電子ラマン散乱のキャリア濃度依存性
• 30a-W-3 Bi_2Sr_2CaCu_2O_Brインターカレーション化合物の電子ラマン散乱
• 27a-PS-5 Bi系超伝導体における電子ラマン散乱スペクトルの温度依存性IV
• 19pPSB-29 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性2(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-37 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-31 CdTe量子ドットにおける四光波混合(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-30 ヘテロダイン検出による多光波混合II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21aYD-1 固体中のフェムト秒パルス伝播(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
• 24aRG-10 InGaN薄膜の局在励起子発光におけるチップ増強効果(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
• 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pPSB-61 顕微分光法によるCdSe/ZnS Core-Shell型半導体量子ドットのスペクトル拡散の測定(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 25pPSB-60 単一GaAs量子ドットの多励起子準位構造の研究(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 25pPSB-64 チップ増強ラマン分光法を用いた半導体ナノ構造の観察(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 24pRC-16 四光波混合法によるZnSeの時間分解スペクトルの測定(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
• 23pRE-9 異方的量子ドット内の荷電励起子分子による量子もつれ(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 23aRE-1 散乱型ANSOM法によるInAs量子ドットからの誘電率分布の観測(23aRE 顕微・近接場分光/新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 27aPS-80 単一CdSe/CdSコアーシェル型ナノロッド発光の顕微分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aXB-9 GaAs量子ドットにおける多励起子状態の偏光相関(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 30aPS-22 ZnSe系半導体の共鳴二光子励起分光(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 24aYC-3 ビピリジン系配位子を持つ有機Fe錯体における光誘起相転移
• 25aPS-80 空間光変調器によるフォトニック結晶中の光パルス伝播の制御(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 30aVD-7 チップ増強ラマン分光によるGe/Si量子ドットの表面観測(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 22aPS-90 InGaNにおけるチップ増強発光の観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aPS-22 時間分解フォトンエコー法によるGaSeの量子ビートの観測(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aPS-23 GaAs多重量子井戸におけるHH-LH量子ビートの時間分解測定とコヒーレント制御(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSA-85 光ヘテロダイン法によるGaAs量子井戸中のHH-LH量子ビートの計測(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
• 20pPSA-18 半導体GaAsにおけるフェムト秒パルスの伝播特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20aHQ-2 GaAs量子井戸における四光波混合信号スペクトルの尖鋭化(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 30aVD-6 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 22aPS-92 GaAs量子ドットにおける多数のカスケード遷移過程(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aPS-76 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSA-84 光ヘテロダイン法を用いた半導体GaSeの時間分解フォトンエコー信号の形状(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21pTQ-8 GaAs多重量子井戸におけるHH-LH量子ピートのコヒーレント制御(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 19pPSB-28 GaAs多重量子井戸における位相緩和のコヒーレント制御2(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19aRE-12 スピンクロスオーバー錯体におけるスピン状態転移に及ぼす粒径および磁場の効果
• 26aHA-7 四光波混合法によるZnSe薄膜の励起子ラビ振動の観測(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 26aHA-6 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果II(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 25aHA-3 散乱型ANSOM法による金薄膜の表面プラズモンポラリトンの観測(25aHA 顕微・近接場分光/高密度励起現象,領域5(光物性))
• 25pPSA-73 散乱型ANSOM法による金薄膜の近接場光の強度と位相の観測(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pHB-11 強度相関法によるGaAs量子ドット内の多励起子状態の微細構造(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 22aRB-4 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの混晶効果の測定(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 21pPSB-49 チップ増強ラマン散乱分光法によるGeナノワイヤの観察(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22aRB-2 干渉法を用いた散乱型ANSOM法による金薄膜の複素誘電率の観測(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 21aRB-8 ZnSe薄膜の四光波混合信号に見られる励起子ポラリトンのスペクトル変動(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
• 23aTN-12 四励起子の束縛状態によるカスケード遷移過程(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 21pPSA-40 InGaN薄膜のバンド間励起発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-60 GaAs多重量子井戸中の励起子分極の非指数関数的減衰(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-48 時間分解フォトンエコーシグナルに現れた振動構造に関する考察(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 19pPSB-23 光ヘテロダイン法を用いたGaAs量子井戸中の六光波混合(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27pBL-9 単一量子ドット内の荷電三励起子分子による三光子偏光相関(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 24pPSA-48 CaSe薄膜におけるチップ増強発光の観測(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20aHB-7 GaAs量子井戸における励起子間散乱による位相緩和のコヒーレント制御(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))
• 20pFJ-1 多重積層InAs量子ドットにおける励起子状態の歪み依存性(20pFJ 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
• 24pPSA-54 GaAs量子井戸における励起子間散乱のコヒーレント制御(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 18aPSB-38 単一GaAs量子ドットにおける第二レベル発光の偏光状態(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
• 18pPSB-22 ZnSe/ZnMgSSe超格子の周波数分解四光波混合(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性))
• 18aPSB-53 自己形成型単一CdSe/ZnSe量子ドットの多励起子発光(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
• 28pPSB-20 時間積分六光波混合によるZnSeの位相緩和過程の抑制(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
• 28pPSA-38 自己形成型CdSe/ZnSe量子ドットの発光およびラマン散乱におけるチップ増強効果(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
• 28pPSA-37 干渉法による単一GaAs量子ドットの励起子分極の緩和時間の測定(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
• 28pPSA-29 単一GaAs量子ドットにおける多励起子状態の励起過程(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
• 27pEJ-5 六光波混合法を用いたInAs量子ドットの励起子分子ビートの制御(27pEJ 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 24pPSA-49 散乱型ANSOM法による金ナノ構造のヘテロダイン測定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27aDB-6 四光波混合信号における励起子ポラリトンのスペクトル変動の解析(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))
• 26aDB-8 InAs量子ドットにおける励起子の非マルコフ位相緩和(微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク