22aRB-4 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの混晶効果の測定(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 小川 佳宏

  東工大院理工

• 南 不二雄

  東工大院理工

• 小川 佳宏

  京都大学付属病院 内分泌・代謝内科

• 青柳 翔

  東工大院理工

• 南 不二雄

  東工大院理

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