28pPSB-10 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの誘電率分布の測定(28pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 小川 佳宏

  東工大院理工

• 南 不二雄

  東工大院理工

• 高橋 聡

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 高橋 聡

  東工大院理工

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