南 不二雄 | 東工大院理
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概要
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南 不二雄
東工大院理
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南 不二雄
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Jrcat融合研
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小口 信行
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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早瀬 潤子
情通機構
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河原 亮
九大理
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岩松 明宏
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瀬戸 悟
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慶應義塾大学
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滝田 宏樹
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筑波大物質工
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東京大学生産技術研究所
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小口 信行
物材機構
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日大工
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無機材研
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筑波大学物質工学系
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澤田 勉
物・材機構
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間野 高明
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物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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渡邉 克之
東工大院理工
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小林 潔
科技構
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大高 一雄
千葉大先端科学センター
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小林 潔
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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千葉大先端科学
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量子ナノエレ研セ
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阪大理
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黒田 眞司
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千葉大先端科学
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筑波大物質
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大橋 直樹
物材機構
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山本 直克
情報通信研究機構
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東工大量子ナノエレ研セ
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大谷 直毅
同志社大
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JRCAT
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東北大学通研
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情報通信研究機構
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小田 俊理
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秋永 広幸
ナノ機能合成プロ産総研
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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Baranov A.
東工大院理工
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榊 裕之
東大先端研
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榊 裕之
東大先端研:新技術事業団
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榊 裕之
東京大学先端科学技術研究センター
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榊 裕之
(社)応用物理学会
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秋永 広幸
産総研ナノテク
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天内 英貴
三菱化学オプト技開セ
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長尾 哲
三菱化学オプト技開セ
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榊 裕之
東大生研
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天内 英貴
三菱化学科学技術研究センター
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長尾 哲
三菱化学科学技術研究センター
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宗片 比呂夫
東京工業大学
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宗片 比呂夫
東工大像情報
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瀧田 宏樹
筑波大物質工
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山本 直克
情通機構
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高野 史好
産業技術総合研究所
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長尾 哲
三菱化学オプトエレクトロニクス研究所
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山田 紘
(株)東芝研究開発センター
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宗片 比呂夫
東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
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宗片 比呂夫
東工大・像情報
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宗片 比呂夫
東大大工
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高野 史好
ナノ機能合成プロ
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大谷 直毅
情通機構
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早瀬 潤子
情報通信研究機構
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長谷川 敦司
情報通信研究機構
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三森 康義
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三森 康義
東北大学通研
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物材研
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大橋 直樹
物質・材料研究機構物質研究所 電子材料ブループ
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大橋 直樹
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黒田 隆
物・材機構
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東工大院理工
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佐々木 雅美
情報通信研究機構:crest
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佐々木 雅美
情通機構
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長尾 哲
三菱化学(株)オプトエレクトロニクス技術開発センター
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Baranov Alexandre
Vavilov State Optical Inst.
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渡邉 克之
物・材機構
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間野 高明
東工大院理工
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小口 信行
東工大院理工
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大岩 顕
東京大学工学系研究科
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生産技術研究所
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榊 裕之
豊田工業大学
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長谷川 敦
通総研
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滝田 宏樹
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山崎 和良
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豊則 祐嗣
東工大院理工
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黒田 陸
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滝田 宏樹
筑波大,物質工
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豊則 祐嗣
東工大院理工:神奈川科学技術アカデミー
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馬場 基彰
Univ. Paris Diderot-Paris 7 et CNRS
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秋永 広幸
ナノ機能合成プロ-産総研
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東工大院総合理工:
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田丸 勇治
東工大院理
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橋本 佑介
東工大院理工
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Sanguinetti S.
ミラノ大
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渡邊 克之
物・材機構
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長尾 哲
三菱化学(株)オプト技開センター
-
天内 英貴
三菱化学(株)オプト技開センター
-
榊 裕之
東京大学生研
著作論文
- 22pPSB-29 単一GaAs量子ドット内の多励起子状態による相関光子対放出(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 20pHK-8 CdSe/ZnSコア-シェル型量子ドットの発光寿命の粒子濃度依存性(20pHK 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 22pPSB-1 チップ増強型ラマン分光プローブの作成(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 27aPS-101 近接場分光法を用いたフォトニック結晶中の光伝播特性の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aHL-5 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 23pPSB-32 Ge/Si量子ドットの顕微ラマン分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22pPSA-45 InAs 量子ドット中の励起子緩和におけるボトルネック効果
- 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(領域5,領域1合同講演 フォトニック結晶,顕微,近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 24aYG-8 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性II(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pTR-11 微粒子マニピュレーションによるフォトニッククラスタの作製と光伝播特性(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
- 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-11 散乱型ANSOM法を用いた金ナノロッド上の表面プラズモン分布の観測(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aHQ-1 GaSeの四光波混合信号に見られる運動による尖鋭化の時間分解測定(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 27pXB-3 GaSeの四光波混合信号に見られるスペクトルの尖鋭化(超高速現象,領域5,光物性)
- 25aXB-11 散乱型ANSOM法による金微小球の近接場光強度と位相分布の観測(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 22aPS-91 チップ増強発光法を用いた金回折格子の表面プラズモンの観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 19pPSB-29 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性2(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-37 光パルス照射による位相緩和抑制効果の遅延時間依存性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-31 CdTe量子ドットにおける四光波混合(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aPS-30 ヘテロダイン検出による多光波混合II(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYD-1 固体中のフェムト秒パルス伝播(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 20pPSA-28 ヘテロダイン検出による多光波混合(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-33 半導体中の励起子における Non-Markov 過程と decoherence(領域 5)
- 13aXA-6 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(実験)(超高速現象, 領域 5)
- 13aXA-5 多光波混合による励起子のデコヒーレンス制御(理論)(超高速現象, 領域 5)
- 22pPSA-22 2 次元半導体における多光波混合 2
- 29aYE-9 2 次元半導体における多光波混合
- 24aRG-10 InGaN薄膜の局在励起子発光におけるチップ増強効果(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 13pPSA-34 コヒーレント制御のためのフェムト秒パルス整形(領域 5)
- 12pXC-5 (Ga, Mn)As における磁化誘起第二高調波発生 II(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
- 22pPSA-46 ワイドギャップ半導体の二光子共鳴励起分光
- 18pYG-10 Zn_Mn_xSeのMn発光
- 13pPSA-28 ヘテロダイン検出法によるフォトンエコーの観測(領域 5)
- 12pXC-2 半導体量子アイランドにおける四光波混合(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
- 20aWB-5 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合 II
- 29aYE-6 半導体量子アイランド中の励起子四光波混合
- 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 25pPSB-60 単一GaAs量子ドットの多励起子準位構造の研究(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25pPSB-64 チップ増強ラマン分光法を用いた半導体ナノ構造の観察(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 24pRC-16 四光波混合法によるZnSeの時間分解スペクトルの測定(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 23pRE-9 異方的量子ドット内の荷電励起子分子による量子もつれ(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 22aWA-10 多量子ビットの位相緩和解析(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
- 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
- 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
- 23pSB-2 CdMnTe磁気ポーラロン発光における高密度効果 II
- 22aK-7 (Ga,Mn)AsにおけるMCDスペクトルのキャリア密度依存性II
- 28p-YN-8 (GaMn)Asの発光特性に関する膜厚依存性
- 27aPS-80 単一CdSe/CdSコアーシェル型ナノロッド発光の顕微分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aXB-9 GaAs量子ドットにおける多励起子状態の偏光相関(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 17pRE-10 半導体量子アイランド中の励起子位相緩和
- 27pYA-4 ZnSe薄膜の励起予共嶋ハイパーレイリー散乱の偏光依存性II
- 23pN-3 ZnSe薄膜の励起子共鳴ハイパーレイリー散乱の偏光依存性
- 27pXQ-8 フォトニック結晶中のパルス伝播(領域5,領域1合同 : フォトニック結晶)(領域5)
- 27pXQ-8 フォトニック結晶中のパルス伝播(フォトニック結晶)(領域5,領域1合同)
- 22aPS-89 フォノンと相互作用する局在光の2次元格子モデルII(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aTR-7 2次元格子プローブモデルにおけるフォノンと相互作用する近接場光(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 30aVD-7 チップ増強ラマン分光によるGe/Si量子ドットの表面観測(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 22aPS-90 InGaNにおけるチップ増強発光の観測(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 17aYH-7 (Ga,Mn)Asにおける磁性の光照射効果
- 17aYH-6 (Ga,Mn)Asにおける光励起による過渡的円二色性の測定
- 23pSB-11 (Ga,Mn)AsのMCDスペクトルに対する円偏光励起効果
- 22aK-4 III-V族磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける中赤外吸収スペクトルのキャリア濃度依存性
- 30pPSA-48 マスクを用いた低密度量子ドット顕微分光スペクトル
- 27aYA-8 固体中のフェムト秒パルス光伝播III
- 29pTC-3 CdMnTe磁気ポーラロン発光における高密度効果III
- 20pPSA-18 半導体GaAsにおけるフェムト秒パルスの伝播特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aHQ-2 GaAs量子井戸における四光波混合信号スペクトルの尖鋭化(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 30aVD-6 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子状態(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 22aPS-92 GaAs量子ドットにおける多数のカスケード遷移過程(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-76 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23aN-13 固体中のフェムト秒パルス光伝播 II
- 26aYB-11 固体中のフェムト秒パルス光伝播
- 19pPSB-28 GaAs多重量子井戸における位相緩和のコヒーレント制御2(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22pK-2 CdMnTe中の磁気ポーラロン発光における強励起効果
- 26aHA-7 四光波混合法によるZnSe薄膜の励起子ラビ振動の観測(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 26aHA-6 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果II(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
- 25pHB-11 強度相関法によるGaAs量子ドット内の多励起子状態の微細構造(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 22aRB-4 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの混晶効果の測定(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 21pPSB-49 チップ増強ラマン散乱分光法によるGeナノワイヤの観察(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aRB-2 干渉法を用いた散乱型ANSOM法による金薄膜の複素誘電率の観測(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 21aRB-8 ZnSe薄膜の四光波混合信号に見られる励起子ポラリトンのスペクトル変動(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 23aTN-12 四励起子の束縛状態によるカスケード遷移過程(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21pPSA-40 InGaN薄膜のバンド間励起発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-60 GaAs多重量子井戸中の励起子分極の非指数関数的減衰(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-48 時間分解フォトンエコーシグナルに現れた振動構造に関する考察(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27pBL-9 単一量子ドット内の荷電三励起子分子による三光子偏光相関(27pBL 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 24pPSA-48 CaSe薄膜におけるチップ増強発光の観測(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20aHB-7 GaAs量子井戸における励起子間散乱による位相緩和のコヒーレント制御(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))
- 20pFJ-1 多重積層InAs量子ドットにおける励起子状態の歪み依存性(20pFJ 微粒子・ナノ結晶,顕微・近接場分光,領域5(光物性))
- 24pPSA-54 GaAs量子井戸における励起子間散乱のコヒーレント制御(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 18aPSB-38 単一GaAs量子ドットにおける第二レベル発光の偏光状態(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 18pPSB-22 ZnSe/ZnMgSSe超格子の周波数分解四光波混合(18pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・非線形光学・超高速現象),領域5(光物性))
- 18aPSB-53 自己形成型単一CdSe/ZnSe量子ドットの多励起子発光(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
- 28pPSB-20 時間積分六光波混合によるZnSeの位相緩和過程の抑制(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
- 28pPSA-38 自己形成型CdSe/ZnSe量子ドットの発光およびラマン散乱におけるチップ増強効果(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 28pPSA-37 干渉法による単一GaAs量子ドットの励起子分極の緩和時間の測定(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 28pPSA-29 単一GaAs量子ドットにおける多励起子状態の励起過程(28pPSA 領域5ポスターセッション(新光源・新分光法・微粒子・ナノ結晶ほか),領域5(光物性))
- 27pEJ-5 六光波混合法を用いたInAs量子ドットの励起子分子ビートの制御(27pEJ 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 24pPSA-49 散乱型ANSOM法による金ナノ構造のヘテロダイン測定(24pPSA 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性))
- 9aSG-9 半導体量子アイランドにおける励起子分極のラビ振動II(微粒子・ナノ結晶,領域5)
- 8aSJ-10 位相緩和とエネルギー緩和(光誘起相転移,領域5)
- 7pPSA-73 マスクを用いた量子ドット顕微発光信号の観測(領域5)
- 27aDB-6 四光波混合信号における励起子ポラリトンのスペクトル変動の解析(超高速現象(非線形光学・コヒーレントフォノン),領域5(光物性))
- 26aDB-8 InAs量子ドットにおける励起子の非マルコフ位相緩和(微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 7pPSA-58 GaAs 自己形成量子ドットにおける配向緩和過程の観測(領域5)
- 8pSB-4 量子ドットにおける多励起子ダイナミクス(主題:半導体量子構造のスピン状態と量子伝導,合同シンポジウム,領域4,領域3,領域5,領域4)
- 7pSA-15 GaAs量子ドット中の励起子の圧力効果(量子ドット,領域4)
- 8pSB-4 量子ドットにおける多励起子ダイナミクス(半導体量子構造のスピン状態と量子伝導,領域4,領域3,領域5合同シンポジウム,領域3)
- 7aSB-4 希薄磁性半導体(Cd. Mn) Teにおける光照射効果(磁性半導体,領域4)
- 26pPSA-27 半導体量子井戸における光誘起ファラデー回転現象と励起子非線形効果(26pPSA,領域5(光物性分野))
- 24pYE-3 単一GaAs量子ドット発光における多励起子緩和過程(24pYE 新物質・高密度励起現象,領域5(光物性分野))
- 27aYE-8 量子ビートの位相操作1 : トランジェントグレーティング(27aYE 超高速現象,領域5(光物性分野))
- 24aWG-8 フォトニッククリスタル中の光パルス伝播(24aWG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,フォトニックバンド,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 24aWG-8 フォトニッククリスタル中の光パルス伝播(24aWG 領域5,領域1合同フォトニック結晶,フォトニックバンド,領域5(光物性分野))
- 24pWE-6 III-V族半導体量子ドットの励起子発光とそのダイナミクス(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))