片山 浩一 | 東工大院理工

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概要

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• 東工大院理工の論文著者

関連著者

• 片山 浩一

  東工大院理工

• Itoh Tadashi

  Department Of Applied Physics Tohoku Unviersity

• Itoh T

  Kyosera Co.ltd.

• 芦田 昌明

  大阪大学基礎工学研究科

• 宮島 顕祐

  阪大院基礎工:科学技術振興機構さきがけ

• 芦田 昌明

  阪大院基礎工

• 伊藤 正

  東北大・工

• Inaoka Takeshi

  Department Of Electrical And Electronic Engineering The University Of Tokushima

• 伊藤 正

  大阪大学 ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 伊藤 正

  阪大基礎工

• 芦田 昌明

  阪大基礎工

• 宮島 顕祐

  阪大基礎工

• 片山 浩一

  阪大基礎工

• 伊藤 正

  阪大院基礎工

• 小川 佳宏

  東工大院理工

• 南 不二雄

  東工大院理工

• 宮島 顕祐

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 芦田 昌明

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 伊藤 正

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 片山 浩一

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 南 不二雄

  東工大院理

• 梅村 裕奈

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 宮島 顕祐

  東京理科大学理学部:JSTさきがけ

• 稲葉 和宏

  阪大院基礎工

• 片山 浩一

  阪大院基礎工

• 山田 冬樹

  阪大院基礎工

• 今和泉 啓

  阪大院基礎工

• Kapitonov A.

  阪大基礎工

• 小川 佳宏

  京都大学付属病院 内分泌・代謝内科

• 一宮 正義

  大阪歯科大

• 宮島 顕祐

  阪大院基礎工

• 一宮 正義

  阪大院基礎工

• 石原 一

  CREST-JST

• 山田 冬樹

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 一宮 正義

  阪歯大:阪大院基礎工

• 飯田 琢也

  CREST-JST

• Ito Tatsuya

  New Cosmos Electric Co. Ltd.

• 伊藤 正

  阪大INSD

• 今和 泉啓

  阪大院基礎工

• 片島 泰佑

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 阿部 克市

  阪大院基礎工

• 片島 泰佑

  阪大基礎工

• Kapitonov Andrey

  阪大基礎工

• 芦田 昌明

  科技振興機構さきがけ

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著作論文

• 21aHL-5 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 26aPS-17 CuCl量子ドットにおける三重項励起子寿命の磁場効果II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aPS-81 NaCl中のCuCl量子ドットにおけるZ_3励起子のg因子(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24aRG-10 InGaN薄膜の局在励起子発光におけるチップ増強効果(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 21aTR-2 CuCl量子ドットにおける三重項励起子寿命の磁場効果(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
• 19pPSA-42 CuCl量子ドットにおける励起子寿命の磁場効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27aWA-5 超流動ヘリウム中におけるCuClナノ微粒子の作製および光マニピュレーション(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 25pPSB-43 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度共鳴励起による磁気ポーラロンの光誘起磁化(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 23pPSB-15 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果V : 混晶によるポテンシャルゆらぎに局在した高密度磁気ポーラロンの高スピン配置(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25pWB-11 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度電子・正孔系のダイナミクス(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 29pXC-2 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果IV(29pXC 領域4,領域5合同 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSB-4 超流動ヘリウム中におけるCuClナノ微粒子の作製(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSA-52 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26pYH-6 半磁性半導体CdMnTeにおける高密度励起効果II(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
• 13pPSA-77 CdMnTe における高密度励起効果(領域 5)
• 26aHA-6 InGaN薄膜の発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果II(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 21pPSA-40 InGaN薄膜のバンド間励起発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))

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