小口 信行 | 物質・材料研究機構
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概要
関連著者
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小口 信行
物質・材料研究機構
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間野 高明
東大院工
-
間野 高明
物質・材料研究機構
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黒田 隆
物材機構
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間野 高明
(独)物質・材料研究機構
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塚本 史郎
物質・材料研究機構
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小口 信行
物・材機構
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塚本 史郎
金材技研
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木戸 義勇
物材機構
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
-
黒田 隆
物質・材料研究機構
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迫田 和彰
物質・材料研究機構
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小口 信行
物材機構
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小口 信行
金属材料技術研究所極高真空場ステーション
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小口 信行
金属材料技術研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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木戸 義勇
物質・材料研究機構
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黒田 圭司
物質・材料研究機構
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黒田 圭司
北里大理
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下田 正彦
金材技研
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小口 信行
金材技研
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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大竹 晃浩
物材機構
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渡邉 克之
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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渡邉 克之
東工大院理工
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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南 不二雄
東工大院理工
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迫田 和彰
物材機構
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中村 淳
電通大
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間野 高明
物・材機構
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名取 晃子
電通大
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南 不二雄
東工大院理
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木戸 義勇
東大物性研
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
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藤田 大介
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノ物性研究グループ
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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木戸 義勇
金属材料研究所
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中村 淳
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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木戸 義勇
物材機構ナノマテ研
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間野 高明
物材機構
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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水戸 義勇
東北大・金研
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黒田 隆
物材機構ナノマテ研
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山際 正和
(株)東芝研究開発センター
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大学
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大(チェコ共和国)
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知京 豊裕
金材技研
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黒田 隆
東工大院理工
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山際 正和
東工大院理工
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鷺坂 恵介
物質・材料研究機構
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塚本 史郎
金属材料技術研究所
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鷺坂 恵介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
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藤田 大介
物質・材料研究機構
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黒田 隆
東工大院理
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竹端 寛治
物材機構
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高増 正
物材機構
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滝田 宏樹
筑波大物質工
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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今中 康貴
物材機構
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
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古屋 一夫
物材機構
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藤岡 洋
東京大学大学院工学系研究科
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山際 正和
物・材機構
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木戸 義勇
金属材料技術研究所
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尾嶋 正治
東京大学大学院工学系研究科
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落合 哲行
物材機構
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迫田 和彰
物材機構量子ドットセンター
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三石 和貴
物材機構
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古屋 一夫
物質・材料研究機構
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竹口 雅樹
物質・材料研究機構
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三石 和貴
物質・材料研究機構
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瀧田 宏樹
筑波大物質工
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竹口 雅樹
物材機構
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細谷 剛
東工大院理工
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高増 正
金属材料技術研究所
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倉沢 充
東工大院理工
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黒田 隆
物・材機構
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郭 行健
物質・材料研究機構
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迫田 和彰
物・材機構
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Baranov Alexandre
Vavilov State Optical Inst.
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住田 尚江
東工大院理工
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渡邉 克之
物・材機構
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間野 高明
東工大院理工
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小口 信行
東工大院理工
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間野 高明
金属材料技術研究所
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渡邉 克之
金属材料技術研究所
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今中 康貴
金属材料技術研究所
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藤岡 洋
東京大学生産技術研究所:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業(jst-crest)
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藤岡 洋
東京大学大学院
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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三石 和貴
物質材料研究機構
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古屋 一夫
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研
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古屋 一夫
金属材料技術研究所精密励起場ステーション
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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滝田 宏樹
筑波大学物質工学系
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三石 和貴
(独)物質・材料研究機構
-
滝田 宏樹
筑波大,物質工
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竹口 雅樹
物材機構ナノマテ研
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構:JRCAT
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尾関 雅志
JRCAT
-
三石 和貴
物材機構ナノマテ研
著作論文
- 27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 31p-PSB-33 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測II
- 21pTR-6 GaAs量子ドットの共鳴励起発光と励起子ダイポールモーメント(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 27aWA-7 単一量子ドットの共鳴励起発光と励起子ラビ振動(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 24aPS-85 GaAs量子ドット発光の位相緩和(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-10 単一量子ドット発光の自己相関測定(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 低エネルギー集束GaイオンビームのCaAs基板への照射効果
- 27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 低エネルギー集束イオンビームによるGaAs微細構造の作製
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28pWP-11 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面の構造操作(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 23aYD-1 極低温 STM を用いた Si(100) 表面の研究
- 22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
- Cs補正HAADF-STEMによるAlGaAs中のGaAs量子リングの観察
- 液滴エピタキシー法によるナノリング構造の自己形成(量子ドットの使い方)
- 20pPSB-11 二分割GaAs量子ドット構造の作製とその光学(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 格子整合系GaAs/AlGaAs量子ドットの液滴エピタキシーによる作製と光学特性評価
- 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
- 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
- その場STM観察によるGaAs(001)表面のGa原子吸着ダイナミクス
- InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
- 7a-PS-55 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測IV
- S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測III
- 30a-PS-26 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測
- 第3回極限場国際シンポジウム「ナノ構造の創製」
- 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 27pYF-9 Ga安定化GaAs(001)表面の構造評価(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))