小口 信行 | 物・材機構
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概要
関連著者
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小口 信行
物・材機構
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南 不二雄
東工大院理
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南 不二雄
東工大院理工
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山際 正和
東工大院理工
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山際 正和
(株)東芝研究開発センター
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小口 信行
物質・材料研究機構
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小口 信行
物材機構
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小川 佳宏
東工大院理工
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山際 正和
物・材機構
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黒田 隆
物材機構
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黒田 隆
東工大院理工
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大竹 晃浩
物材機構
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池田 賢元
東工大院理工
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池田 賢元
東京工業大学
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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黒田 隆
東工大院理
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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間野 高明
東大院工
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木平 孝和
東工大院理工
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間野 高明
物質・材料研究機構
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間野 高明
(独)物質・材料研究機構
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倉沢 充
東工大院理工
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齋藤 文芳
東工大院理工
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間野 高明
物・材機構
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
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田中 翔一
東工大院理工
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藤田 大介
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノ物性研究グループ
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藤田 大介
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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渡邉 克之
東大ナノ量子機構
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大学
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大(チェコ共和国)
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斎藤 文芳
東工大院理工
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黒田 隆
物・材機構
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鷺坂 恵介
物質・材料研究機構
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田丸 勇治
東工大院理工
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鷺坂 恵介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
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藤田 大介
物質・材料研究機構
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若山 裕
(独)物質・材料研究機構
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三井 正
住友電工
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中村 淳
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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迫田 和彰
物材機構量子ドットセンター
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三井 正
独立行政法人 物質・材料研究機構
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中西 八郎
東北大多元研
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及川 英俊
東北大学多元物質科学研究所
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及川 英俊
東北大多元研
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三井 正
物材機構量子ドットC
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若山 裕
物材機構半導体材料C
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小野寺 恒信
東北大多元研
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高谷 洋輔
東北大多元研
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小口 信行
物材機構量子ドットC
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小野寺 恒信
東北大学多元物質科学研究所
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中村 淳
電通大
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細谷 剛
東工大院理工
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三井 正
東工大理
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Kocan P.
物材機構:charles Univ.
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三森 康義
通総研
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若山 裕
物質材料研究機構ナノマテリアル研究所
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若山 裕
物質・材料研究機構半導体材料センター
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中川 淳
東工大院理工
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制野 かおり
Friedrich-Schiller-Univ.
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Schmidt W.
Friedrich-Schiller-Univ.
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小口 信行
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノデバイスグループ
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大竹 晃浩
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノデバイスグループ
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迫田 和彰
物・材機構
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渡邉 克之
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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Baranov Alexandre
Vavilov State Optical Inst.
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住田 尚江
東工大院理工
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渡邉 克之
物・材機構
-
渡邉 克之
東工大院理工
-
三井 正
物材機構
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名取 晃子
電通大
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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大津 元一
東工大院総合理工:
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田丸 勇治
東工大院理
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Sanguinetti S.
ミラノ大
-
渡邊 克之
物・材機構
著作論文
- 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-39 数百個の微小球より構成される自己組織化1次元フォトニックワイヤの開発(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aYE-8 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28pWP-11 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面の構造操作(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 23aYD-1 極低温 STM を用いた Si(100) 表面の研究
- 22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 液滴エピタキシィ法による化合物半導体量子ドットの作製 : 微細加工技術と自己組織化技術の融合"半導体研究の視点"
- 31aYE-1 GaAs 量子ドットのサブレベル間緩和過程
- 20pPSB-11 二分割GaAs量子ドット構造の作製とその光学(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
- 30pPSA-48 マスクを用いた低密度量子ドット顕微分光スペクトル
- 7pPSA-73 マスクを用いた量子ドット顕微発光信号の観測(領域5)
- 7pPSA-58 GaAs 自己形成量子ドットにおける配向緩和過程の観測(領域5)
- 24pYE-3 単一GaAs量子ドット発光における多励起子緩和過程(24pYE 新物質・高密度励起現象,領域5(光物性分野))