大竹 晃浩 | 物質・材料研究機構量子ドットセンター
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概要
関連著者
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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大竹 晃浩
物材機構
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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小口 信行
物質・材料研究機構
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小口 信行
物・材機構
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小口 信行
物材機構
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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中村 淳
電通大電子
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名取 晃子
電通大電子
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板谷 太郎
産業技術総合研究所
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安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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高木 信一
東京大学
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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中村 淳
電通大
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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卜部 友二
産業技術総合研究所
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石井 裕之
産業技術総合研究所
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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福原 昇
住友化学
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星井 拓也
東京大学
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大学
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大(チェコ共和国)
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名取 晃子
電通大
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竹中 充
東京大学
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塚本 史郎
金材技研
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横山 正史
東京大学
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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塚本 史郎
物質・材料研究機構
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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山田 永
住友化学
著作論文
- ZnSe/GaAs (111) A系における結晶多形(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
- High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- 基板表面構造に依存した薄膜成長過程--表面構造の決定から超格子の作製まで (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 21pXJ-8 GaAs(001)表面上のMn吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)