ZnSe/GaAs (111) A系における結晶多形(<特集>安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
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概要
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格子整合・価電子不整合系であるZnSe/GaAs (111) A系において観測されたZnSeの結晶多形について紹介する.ZnSeの常温常圧下での安定構造は閃亜鉛鉱型構造であるが,GaAs (111) A-(2×2)表面上に分子線エピタキシー法によって成長したZnSe薄膜は,界面付近ではウルツ鉱型構造を,界面から離れた領域では閃亜鉛鉱型構造を形成する.第一原理計算によって,ZnSe/GaAs界面での電荷不整合がウルツ鉱型構造形成に大きな役割を果たすことが明らかとなった.一方,ZnSeの結晶構造は成長条件にも大きく依存する.GaAs (111) A微傾斜基板上では閃亜鉛鉱型ZnSeが単独で成長し,ZnSe成長時に主にSe_1分子から構成される分子線を用いた場合には閃亜鉛鉱型ZnSeの形成が抑制された.
- 2008-01-31
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