竹中 充 | 東京大学
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概要
関連著者
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竹中 充
東京大学
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
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高木 信一
東京大学
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センタ
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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中野 義昭
東京大学
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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森川 博之
東京大学先端科学技術研究センター
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今泉 英明
東京大学:(現)東京大学大学院工学系研究科
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渡部 克弥
東京大学
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松本 延孝
東京大学
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渡部 克弥
東京大学先端科学技術研究センター
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松本 延孝
東京大学大学院:(現)(株)kddi研究所
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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今泉 英明
東京大学国際・産学共同研究センター
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森川 博之
東京大学
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今泉 英明
東京大学
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター
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アルーアミン アブドゥッラー
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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アルアミン アブドゥッラー
株式会社KDDI研究所
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アルアミン アブドゥッラー
KDDI研究所
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種村 拓夫
東京大学 先端科学技術研究センタ
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斉藤 哲也
中央大学大学院理工学研究科
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種村 拓夫
東京大学
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アルアミン アブドゥラー
東京大学先端科学技術研究センター
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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イット フーチョン
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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水本 哲弥
東京工業大学
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福地 裕
東京大学大学院工学系研究科
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中津原 克己
神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科
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佐藤 岳志
日立ハイテクノロジーズ
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小林 郁太郎
東京大学大学院工
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板谷 太郎
産業技術総合研究所
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安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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アルアミン アブゥラー
東京大学
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森井 清仁
東京大学
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岩崎 敬志
東京大学
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中根 了昌
東京大学
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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徐 蘇鋼
東京大学大学院工学系研究科
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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片桐 祥雅
NTT 通信エネルギー研究所
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鄭 錫煥
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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中津原 克己
神奈川工科大学電気電子工学科
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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卜部 友二
産業技術総合研究所
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石井 裕之
産業技術総合研究所
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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福原 昇
住友化学
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星井 拓也
東京大学
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犬飼 貴士
東京大学大学院工学系研究科
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井上 大介
東京大学大学院工学系研究科
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モハマド ガラム・ラアマン
東京大学大学院工学系研究科
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横山 正史
東京大学
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イット フーチョン
東京大学先端科学技術研究センター
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鄭 錫煥
東京工業大学大学院理工学研究科
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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小林 郁太郎
東京大学
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小林 郁太郎
東京大学工学部
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白土 隆史
東京工業大学 大学院理工学研究科
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光岡 靖幸
セイコーインスツルメンツ(株)
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白土 隆史
東京工業大学
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光岡 靖幸
セイコーインスツル(株)
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片桐 祥雅
Ntt Laboratories
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片桐 祥雅
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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片桐 祥雅
Ntt
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小林 郁太郎
東京大学工学系研究科精密機械工学専攻
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松本 弘昭
日立ハイテクノロジーズ
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趙 毅
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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小山 晋
日立ハイテクノロジーズ
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高木 信一
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
-
山田 永
住友化学
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鄭 錫煥
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
中津原 克己
神奈川工科大学工学研究科電気電子工学専攻
-
高木 信一
東京大学工学系研究科
-
竹中 充
東京大学工学系研究科
著作論文
- B-12-5 PLZT型光スイッチを用いた80Gb/s多波長パケット交換の検証(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- B-12-1 多波長光パケットと波長パスを組み合わせたハイブリッド型光ネットワーク(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- PLZT型光スイッチを用いた80Gb/s多波長光パケット転送実験
- 多波長光パケット交換と光回線交換を用いたハイブリッドネットワークに関する検討
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 科学警察研究所
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- B-12-9 グリーティング装荷非線形方向性結合器を用いた 1×2 全光スイッチング
- C-3-77 光集積回路の光配線に適する金属/誘電体導波路の試作と損失測定
- 平成16年度学術奨励賞受賞記(1)(NEWS LETTER)
- 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価