竹中 充 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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高木 信一
東京大学
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター
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水本 哲弥
東京工業大学
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中野 義昭
東京大学先端研
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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横山 正史
東京大学
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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武田 浩司
東京大学先端科学技術研究センター
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財津 優
東京大学先端科学技術研究センター
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ソーアンジ イブラヒム・ムラット
東京大学先端科学技術研究センター
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ソーアンジ イブラーヒム・ムラット
東京大学先端科学技術研究センター
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鄭 錫煥
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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ソーアンジ イブラヒム
東京大学先端科学技術研究センター
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種村 拓夫
東京大学 先端科学技術研究センター
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鄭 錫煥
東京工業大学大学院理工学研究科
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財津 優
東京大学 先端科学技術研究センター
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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鄭 錫煥
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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中津原 克己
神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科
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高木 信一
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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中津原 克己
神奈川工科大学電気電子工学科
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徐 在國
東京工業大学大学 院理工学研究科 電気電子工学専攻
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中津原 克己
神奈川工科大学工学研究科電気電子工学専攻
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アルーアミン アブドゥッラー
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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アルアミン アブドゥッラー
株式会社KDDI研究所
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アルアミン アブドゥッラー
KDDI研究所
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福地 裕
東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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佐藤 岳志
日立ハイテクノロジーズ
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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アルアミン アブドゥラー
東京大学先端科学技術研究センター
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森井 清仁
東京大学
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岩崎 敬志
東京大学
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中根 了昌
東京大学
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徐 蘇鋼
東京大学大学院工学系研究科
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犬飼 貴士
東京大学大学院工学系研究科
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井上 大介
東京大学大学院工学系研究科
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モハマド ガラム・ラアマン
東京大学大学院工学系研究科
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松本 弘昭
日立ハイテクノロジーズ
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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趙 毅
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
小山 晋
日立ハイテクノロジーズ
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高木 信一
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
-
一宮 佑希
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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キム サンヒョン
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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田岡 紀之
東京大学大学院工学系研究科
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金 相賢
東京大学大学院工学系研究科
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鈴木 麗菜
東京大学大学院工学系研究科
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高木 信一
東京大学工学系研究科
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竹中 充
東京大学工学系研究科
著作論文
- Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- B-12-4 フェーズアレイ型1×N半導体光スイッチのスケーラビリティ(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 科学警察研究所
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 偏波無依存全光スイッチングのための非線形GalnAsP DFB導波路の検討
- 偏波無依存全光スイッチングのための非線形GaInAsP DFB導波路の検討
- C-4-18 ポンプ-プローブ法を用いた GaInAsP DFB 導波路における非線形応答測定
- C-3-35 ループ形干渉計を用いる光強度依存屈折率変化測定法の検討
- 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 大規模集積回路と半導体材料技術の現状と将来
- 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
- 1-4 高移動度チャネルトランジスタ技術の最新動向(1.CMOS技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- C-4-18 高性能光電子集積回路に向けたIII-V CMOSフォトニクスプラットフォーム技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs MOSゲートスタック形成と界面特性