高木 信一 | 東京大学
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概要
関連著者
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高木 信一
東京大学
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
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杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
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杉山 直治
MIRAI-ASET
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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竹中 充
東京大学
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中払 周
半導体MIRAI-ASET
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入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
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平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
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横山 正史
東京大学
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
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沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
-
山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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山下 良美
Mirai-aset
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守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
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高木 信一
MIRAI-産総研ASRC
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手塚 勉
MIRAI-ASET
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平下 紀夫
MIRAI-ASET
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前田 辰郎
産業技術総合研究所
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福原 昇
住友化学
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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板谷 太郎
産業技術総合研究所
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安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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山下 良美
半導体MIRAI-ASET
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原田 真臣
半導体MIRAI-ASET
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原田 正臣
MIRAI-ASET
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木曽 修
MIRAI-産総研ASRC
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中払 周
MIRAI-ASET
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水野 智久
MIRAI-AIST
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入沢 寿史
MIRAI-ASET
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沼田 敏典
MIRAI-ASET
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臼田 宏治
MIRAI-ASET
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宮村 佳児
コマツ電子金属
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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卜部 友二
産業技術総合研究所
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石井 裕之
産業技術総合研究所
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星井 拓也
東京大学
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古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
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中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
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山田 永
住友化学
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古賀 淳二
東芝
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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佐藤 岳志
日立ハイテクノロジーズ
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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森井 清仁
東京大学
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岩崎 敬志
東京大学
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中根 了昌
東京大学
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木曽 修
半導体MIRAI-産総研ASRC
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高木 信一
東大院工
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池田 圭司
MIRAI-ASET
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鈴木 邦広
MIRAI-ASET
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田岡 紀之
MIRAI-産総研ASRC
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前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
守山 佳彦
MIRAI-ASET
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高木 信一
Toshiba Ceramics
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古賀 淳二
MIRAI-ASET
-
田邊 顕人
MIRAI-ASET
-
水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
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沼田 典則
半導体MIRAIプロジェクト
-
古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
-
宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
安田 哲二
産業技術総合研究所
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西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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松本 弘昭
日立ハイテクノロジーズ
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森田 行則
半導体mirai産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
趙 毅
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
小山 晋
日立ハイテクノロジーズ
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高木 信一
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
金 相賢
東京大学電気系工学専攻
-
田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
-
飯田 亮
東京大学電気系工学専攻
-
李 成薫
東京大学電気系工学専攻
-
卜部 友二
産業総合研究所
-
宮田 典幸
産業総合研究所
-
安田 哲二
産業総合研究所
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高木 信一
東京大学電気系工学専攻
-
秦 雅彦
住友化学
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
-
水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
水林 亘
産業技術総合研究所
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
高木 信一
東京大学工学系研究科
-
竹中 充
東京大学工学系研究科
著作論文
- Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- Ge窒化膜を界面層とするHfO_2/Ge MIS構造の特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 大規模集積回路と半導体材料技術の現状と将来