高木 信一 | 半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
-
沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
-
高木 信一
東京大学
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
中払 周
半導体MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
水野 智久
MIRAI-AIST
-
水野 智久
半導体MIRAIプロジェクト
-
古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
古賀 淳二
東芝
-
守山 佳彦
半導体MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
-
高木 信一
東大 大学院新領域創成科学研究科
-
森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
-
宮村 佳児
コマツ電子金属
-
森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
-
西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
沼田 典則
半導体MIRAIプロジェクト
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト:東京大学大学院新領域創成科学科
-
西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
森田 行則
半導体mirai産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
-
水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
水林 亘
産業技術総合研究所
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge窒化膜を界面層とするHfO_2/Ge MIS構造の特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- SiGe on Insulator構造形成技術(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術
- 微細CMOSスケーリングにおけるチャネル高移動度化の重要性 : Si/SiGe系ヘテロ構造による高移動度MOSFET
- Si/SiGeヘテロ構造を用いたMOSデバイス技術
- CT-1-2 高性能LSIのための新構造・新材料CMOS技術(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 微細CMOS技術におけるチャネルエンジニアリングの重要性とひずみSOI MOSFETのインパクト
- 微細CMOS技術におけるチャネルエンジニアリングの重要性とひずみSOI MOSFETのインパクト