水林 亘 | 半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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概要
関連著者
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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水林 亘
産業技術総合研究所
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
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生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
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岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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鳥海 明
東京大学
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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小川 有人
半導体MIRAI-ASET
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水林 亘
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
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右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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高橋 正志
半導体mirai-aset
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科
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平野 晃人
半導体MIRAI-ASET
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渡邉 幸宗
半導体MIRAI-ASET
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安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
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佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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堀川 剛
半導体MIRAI-産総研ASRC
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横井 宏和
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
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水林 亘
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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布重 裕
芝浦工業大学大学院 工学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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中川 格
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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遠藤 和彦
産業技術総合研究所
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塚田 順一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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岡田 健治
半導体MIRAI-ASET
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富永 浩二
半導体MIRAI-ASET
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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久松 裕和
半導体MIRAI-ASET
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右田 真司
産業技術総合研究所
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太田 裕之
産業技術総合研究所
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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高 文秀
岩谷産業
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高木 信一
東京大学
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水林 亘
広島大学工学部
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吉田 友一
広島大学工学部
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宮崎 誠一
広島大学工学部
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廣瀬 全孝
広島大学工学部
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関川 敏弘
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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山下 寛樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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坂本 邦博
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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柳 永〓
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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山内 洋美
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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石川 由紀
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Okada K
Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn
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岡田 健治
松下電器産業(株)
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須山 篤志
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
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奈良崎 昌宏
広島大学大学院 先端物物質科学研究科
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森田 行則
産業技術総合研究所
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小池 汎平
産業技術総合研究所
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関川 敏弘
産業技術総合研究所
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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水林 亘
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc
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大内 真一
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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柳 永勲
産業技術総合研究所
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松川 貴
産業技術総合研究所
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大内 真一
産業技術総合研究所
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大内 真一
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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遠藤 和彦
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
中川 格
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
太田 裕之
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
水林 亘
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
石川 由紀
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
塚田 順一
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
山内 洋美
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
関川 敏弘
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
小池 汎平
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
坂本 邦博
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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小池 汎平
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ
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松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
著作論文
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
- LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
- 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 分子層制御CVDによるAlO_x:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価
- CVD AlO_x : N/Si(100)ヘテロ接合における化学結合状態分析とエネルギーバンドプロファイルの決定
- 原子層堆積法による高誘電率ゲート絶縁膜の作製とその特性への基板親水性の影響
- C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
- エピタキシャルNiSiソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減 (シリコン材料・デバイス)
- 原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO換算膜厚を持つhigh-k(k=40)HfOゲートスタックの形成 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- High-k MOS デバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割