柳 永〓 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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概要
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産業技術総合研究所
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柳 永〓
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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明治大学理工学部電気電子生命学科
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独立行政法人 産業技術総合研究所
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松川 貴
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半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
著作論文
- メタルゲート FinFET 技術
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上
- 縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術
- 立体マルチゲートデバイス集積化技術
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- C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)