縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術
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概要
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The Silicon device technology is facing to several difficulties. Especially, explosion of power consumption due to short channel effects (SCEs) becomes the biggest issue in further device scaling down. Fortunately, double-gate (DG) MOSFETs have promising potential to overcome this obstacle. The DG-MOSFET is recognized to be the most scalable MOSFET for its high SCEs immunity. In addition, independent DG-MOSFET (4T-DG-MOSFET) has great advantage to enable the threshold voltage control for the flexible power management. Through this work, we have realized ideal DG-MOSFETs using newly-developed vertical DG-MOSFET device technology. This article presents the effectiveness of the vertical DG-MOSFETs in future high-performance and ultra-low-power CMOS circuits.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-06-01
著者
-
遠藤 和彦
産業技術総合研究所
-
遠藤 和彦
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
柳 永〓
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
柳 永〓
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
松川 貴
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
鈴木 英一
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
柳 永勲
産業技術総合研究所
-
松川 貴
産業技術総合研究所
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遠藤 和彦
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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