コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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フィン型FET(FinFET)用コンパクトモデルを開発し,これを用いて,金属ゲートFinFETのばらつき解析を行った.トランジスタ寸法に関する統計データを取得し,これに併せて電気的特性の統計的性質が再現されるようにモデルの校正を行うことにより,閾値電圧のばらつきを,トランジスタ構造に関するパラメータ(フィン厚さ,ゲート長),ならびに物性に関するパラメータ(仕事関数)のばをらつきに分離することに成功した.更に,抽出された仕事関数のばらつきをコンパクトモデルに組み込み,ハーフピッチ32nmノードにおけるFinFET SRAMの設計検討を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-19
著者
-
中川 格
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
遠藤 和彦
産業技術総合研究所
-
塚田 順一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
関川 敏弘
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
小池 汎平
産業技術総合研究所情報処理研究部門
-
坂本 邦博
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永〓
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
大内 真一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
山内 洋美
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
石川 由紀
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
遠藤 和彦
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
小池 汎平
産業技術総合研究所
-
中川 格
産業技術総合研究所
-
関川 敏弘
産業技術総合研究所
-
石川 由紀
産業技術総合研究所
-
坂本 邦博
産業技術総合研究所
-
大内 真一
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永勲
産業技術総合研究所
-
昌原 明植
産業技術総合研究所
-
松川 貴
産業技術総合研究所
-
大内 真一
産業技術総合研究所
-
遠藤 和彦
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
山内 洋美
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
塚田 順一
産業技術総合研究所
-
小池 汎平
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ
-
松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
-
松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
-
柳 永〓
産業技術総合研究所
-
山内 洋美
産業技術総合研究所
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