松川 貴 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

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• 松川 貴

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 昌原 明植

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所

• 長尾 昌善

  産業技術総合研究所

• 金丸 正剛

  産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 伊藤 順司

  電子技術研究所

• 伊藤 順司

  産業技術総合研究所

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所

• 山内 洋美

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ

• 金丸 正剛

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所

• 中川 格

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 佐藤 貴伸

  筑波大学 物理工学系

• 中川 格

  産業技術総合研究所

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学研究科

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学 理工学部 電子工学科

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所情報処理研究部門

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 亀井 貴弘

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 林田 哲郎

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 佐長 裕

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 小池 帆平

  産業技術総合研究所

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部

• 佐長 裕

  産業技術総合研究所

• 坂井 秀男

  慶應義塾大学理工学研究科

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学

• 小椋 厚志

  明治大学理工学研究科

• 山本 恵彦

  独立行政法人産業技術総合研究所 中央第2エレクトロニクス研究部門

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所

• 山本 恵彦

  筑波大学物理工学系

• 佐藤 貴伸

  筑波大学物理工学系

• 山本 恵彦

  筑波大学・物理工学系

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著作論文

• メタルゲート FinFET 技術
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ
• HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
• コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上
• 表面改質によるシリコンフィールドエミッタの特性向上
• 立体マルチゲートデバイス集積化技術
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)

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