関川 敏弘 | 産業技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所

• 中川 格

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ

• 中川 格

  産業技術総合研究所

• 日置 雅和

  産業技術総合研究所

• 河並 崇

  金沢工業大学

• 堤 利幸

  明治大学大学院理工学研究科

• 河並 崇

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 エレクトロインフォマティクスグループ

• 日置 雅和

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 エレクトロインフォマティクスグループ

• 日置 雅和

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 日置 雅和

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ

• 河並 崇

  金沢工業大学情報学部情報工学系

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所情報処理研究部門

• 松本 洋平

  東京海洋大学

• 堤 利幸

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 エレクトロインフォマティクスグループ

• 松本 洋平

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 エレクトロインフォマティクスグループ

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 松川 貴

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小池 帆平

  産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所

• 堤 利幸

  明治大学

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂井 秀男

  慶應義塾大学理工学研究科

• 山内 洋美

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学研究科

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学 理工学部 電子工学科

• 河並 崇

  金沢工業大学情報工学科

• 中川 格

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 遠藤 和彦

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 堤 利幸

  明治大学理工学部情報科学科

• 堤 利幸

  明治大学理工学部

• 小池 汎平

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 日置 雅和

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 松本 洋平

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 小池 帆平

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 昌原 明植

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 松川 貴

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 山内 洋美

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 中川 格

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 太田 裕之

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 柳 永シュン

  産業技術総合研究所

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所

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著作論文

• 電力を再構成可能なFlex Power FPGAチップの設計と評価(デバイスアーキテクチャ1)
• 複数の回路構成情報を用いたチップ内ばらつきを有するFPGAの歩留まり向上手法の提案(設計手法,リコンフィギャラブルシステム,一般)
• Flex Power FPGAの回路レベルからチップレベルまでの一貫したシミュレーション評価(デバイスアーキテクチャ,リコンフィギャラブルシステム論文)
• Flex Power FPGAにおける最適ボディバイアス電圧値組み合わせの詳細な分析(リコンフィギャラブルシステム,一般)
• Flex Power FPGAにおけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について(FPGAとその応用及び一般)
• Flex Power FPGAにおけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について(FPGAとその応用及び一般)
• Flex Power FPGAにおけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について(FPGAとその応用及び一般)
• Flex Power FPGAにおけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について(FPGAとその応用及び一般)
• Flex Power FPGA におけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について
• Flex Power FPGA におけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について
• Flex Power FPGA におけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について
• Flex Power FPGA におけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について
• Flex Power FPGAにおけるしきい値電圧最適化アルゴリズムの検討(デバイスアーキテクチャII)
• Flex Power FPGAのしきい値電圧制御粒度の評価(デバイスアーキテクチャII)
• Flex Power FPGAにおけるしきい値電圧制御のための面積オーバヘッド評価(デバイスアーキテクチャI, リコンフィギャラブルシステム, 一般)
• Flex Power FPGAの動作スピードと消費電力の解析 : 回路レベルからチップレベルまで(デバイスアーキテクチャI, リコンフィギャラブルシステム, 一般)
• 電力を再構成可能なFlex Power FPGAの低消費電力プロセスによる試作と評価(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)
• コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上
• 動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• CT-3-2 Flex Power FPGA : しきい値電圧をプログラム可能な超低消費電力FPGAの開発(CT-3.超低消費電力LSIにより広がる新しい応用,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• しきい値電圧をプログラム可能な超低消費電力FPGA用デモシステムの開発(デバイスアーキテクチャと性能評価技術)
• Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• しきい値電圧をプログラム可能な超低消費電力FPGA用デモシステムの開発

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