塚田 順一 | 産業技術総合研究所

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概要

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• 産業技術総合研究所の論文著者

関連著者

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  産業技術総合研究所

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 松川 貴

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所

• 中川 格

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 中川 格

  産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小池 帆平

  産業技術総合研究所

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所

• 坂井 秀男

  慶應義塾大学理工学研究科

• 山内 洋美

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学研究科

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学 理工学部 電子工学科

• 右田 真司

  産業技術総合研究所

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 亀井 貴弘

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 林田 哲郎

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部

• 森田 行則

  産業技術総合研究所

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 小椋 厚志

  明治大学理工学研究科

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所情報処理研究部門

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 柳 永シュン

  産業技術総合研究所

• [オノ]田 博

  日新イオン機器株式会社

• 中島 良樹

  日新イオン機器株式会社

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著作論文

• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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