昌原 明植 | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 昌原 明植

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 大内 真一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 中川 格

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所

• 山内 洋美

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 中川 格

  産業技術総合研究所

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所

• 小池 帆平

  産業技術総合研究所

• 森田 行則

  産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 坂井 秀男

  慶應義塾大学理工学研究科

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学研究科

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学 理工学部 電子工学科

• 遠藤 和彦

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所情報処理研究部門

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 亀井 貴弘

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 林田 哲郎

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部

• 柳 永〓

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 松川 貴

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 大内 真一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 中川 格

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 太田 裕之

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小椋 厚志

  明治大学理工学研究科

• 田邊 顕人

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 森 貴洋

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 右田 真司

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 水林 亘

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 森田 行則

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 福田 浩一

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• 大内 真一

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 太田 裕之

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 田邊 顕人

  半導体MIRAI-ASET

• 小池 汎平

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 中川 格

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所

• 鈴木 英一

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 山内 洋美

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 福田 浩一

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 森 貴洋

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 田邊 顕人

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

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• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 右田 真司

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• 昌原 明植

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

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  産業技術総合研究所

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著作論文

• メタルゲート FinFET 技術
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上
• 3.四端子FinFETデバイス技術 : 課題と対策及び展望(32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)
• 縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術
• ダブルゲートMOSFETの歴史と現状
• 立体マルチゲートデバイス集積化技術
• 動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• CT-2-5 低電圧SRAMデバイス技術(CT-2.サブ0.5V時代に向けた低電圧・低電力メモリ技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• チャネル長を3nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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