FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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近年、FinFETがMOSFETに代わる優秀なトランジスタとして、各研究機関で研究されている。しかし、FinFETを搭載したRF回路の研究は進んでいない。RF回路の研究が進まない理由として、3D構造であるFinFETのシミュレーションモデル作成が、難しいことがある。高周波に於けるFinFETの正確なシミュレーションモデルを作成するには、IntrinsicなFinFETの特性を正確に把握することが必要である。しかし、FinFETのIntrinsic Partの実測は難しい。現在作製されているFinFETはFinチャネル幅に比べて、コンタクトを設置する為の広いゲート・ドレイン・ソース領域を必要とする。ゲート・ドレイン・ソース領域の寄生容量がFinFETのIntrinsic Partの寄生容量に比べ支配的な為、通常の高周波測定と、コンタクトを利用する校正ではFinFETのIntrinsic Partの特性を測定できない。この理由から、RF回路設計で必須となる、精度の高いFinFETのシミュレーションモデルが作成できなかった。本稿では、FinFETのIntrinsic Partに寄生する容量を抽出する為に、特殊な校正パターンを提案し、実際に測定を行った。さらに、AISTのXMOSモデルを使用したシミュレーション結果とFinFETのIntrinsic Partの抽出結果を比較し、RF回路設計に適切なモデルか検討を行った。
- 2011-02-16
著者
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石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学研究科
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学 理工学部 電子工学科
-
中川 格
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
遠藤 和彦
産業技術総合研究所
-
塚田 順一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
関川 敏弘
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
坂本 邦博
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学理工学部電子工学科
-
大内 真一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
石川 由紀
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永勲
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
小池 帆平
産業技術総合研究所
-
遠藤 和彦
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
小池 汎平
産業技術総合研究所
-
中川 格
産業技術総合研究所
-
関川 敏弘
産業技術総合研究所
-
石川 由紀
産業技術総合研究所
-
坂井 秀男
慶應義塾大学理工学研究科
-
坂本 邦博
産業技術総合研究所
-
大内 真一
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永勲
産業技術総合研究所
-
昌原 明植
産業技術総合研究所
-
松川 貴
産業技術総合研究所
-
大内 真一
産業技術総合研究所
-
遠藤 和彦
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
塚田 順一
産業技術総合研究所
-
小池 汎平
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ
-
松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
石黒 仁揮
慶應義塾大学
-
昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
-
松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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