3.四端子FinFETデバイス技術 : 課題と対策及び展望(<小特集>32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)
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概要
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32nm技術ノード以降のVLSIにとって最大の問題は,短チャネル効果に起因した消費電力の増大である.独立ダブルゲートを有する四端子FinFETは,極めて高い短チャネル効果抑制能に加え,素子作製後にしきい電圧(V_<th>)を自在に制御可能という優れた特徴から,この問題を解決し得る素子として近年注目されている.本稿では,四端子FinFET実用に向け解決すべき課題と対策に関して,我々がこれまで取り組んできた研究を中心に解説する.具体的には,ダブルゲートの分離技術,性能向上に有効な左右のゲート絶縁膜厚の非対称化技術に関して解説する.また,四端子FinFETを用いたCMOSインバータ回路の特性結果を示すとともに,四端子FinFET回路の応用に関する今後の展開を述べる.
- 2008-01-01
著者
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昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
独立行政法人 産業技術総合研究所
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昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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