チャネル長を3nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
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概要
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チャネル長が3nmという短さの接合レス型のトランジスタをSOI基板上に作製し、電気特性を評価した。アルカリ溶液がS1結晶を異方的にエッチングする性質を利用してSOI基板にV型の溝を形成し、溝先端部に残された極薄のS1層をチャネルとした。ソース/ドレインに注入した不純物は、長時間の高温アニールによってチャネル内部まで均一に拡散した。こうして作製したPN接合を有さないトランジスタはON動作時には極薄チャネル層全体をドレイン電流が流れ、OFF時にはゲート電極界面からの空乏層広がりによって電流が遮断される。短チャネル効果を抑制するためのチャネル厚さの重要性、単一ゲート電極によるN型とP型のしきい値電圧の調整能力、準バリスティック伝導の見積もりを検討した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-23
著者
-
右田 真司
産業技術総合研究所
-
太田 裕之
産業技術総合研究所
-
森田 行則
産業技術総合研究所
-
昌原 明植
産業技術総合研究所
-
森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
昌原 明植
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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