Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

概要

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Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと界面準位との応答および狭バンドギャップを考慮した解析モデルを提案し、その解析モデルを用いたコンダクタンス法によって、様々な界面層を有するGe MISキャパシタの電気特性を詳細に調べた。従来のコンダクタンス法では、少数キャリアの応答を考慮していないため正確な界面特性が得られないこと、および、少数キャリアの応答を考慮したコンダクタンス法では、物理的に正確な界面特性が得られることが明らかとなった。その結果として、電子捕獲断面積(σ_n)はSi MOS界面のそれと同様に、表面ポテンシャル依存性をほとんど示さないことが明らかとなった。この特性は、Si MOSの特性と良く似ていることから、Ge MIS界面にはSi MOSと類似の欠陥が形成されていると考えられる。また、σ_nおよび界面準位密度の大きさは界面層の化学組成に強く依存しており、組成によって異なる欠陥構造を持つと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2009-06-12