ひずみの導入により高移動度化した新構造SOI-MOSFET
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概要
著者
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
水野 智久
MIRAI-AIST
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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