界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
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概要
著者
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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山本 豊二
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
山本 豊二
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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高木 信一
東大 大学院工学系研究科
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