高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価

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概要

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• 2009-07-09

著者

• 佐藤 岳志

  日立ハイテクノロジーズ

• 竹中 充

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 竹中 充

  東京大学

• 竹中 充

  東京大学大学院工学系研究科

• 高木 信一

  東京大学

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 松本 弘昭

  日立ハイテクノロジーズ

• 趙 毅

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 小山 晋

  日立ハイテクノロジーズ

• 高木 信一

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学工学系研究科

• 竹中 充

  東京大学工学系研究科

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