全光スイッチング素子を目的としたGaInAsPの光強度依存吸収変化/屈折率変化の測定(光無線システム(ROF, FWA等),光映像伝送(CATV含む,光アクセスシステム),一般)
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概要
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GaInAsP/InP導波路系全光スイッチングデバイスを形成するために、GaInAsPの光強度に依存した吸収変化と屈折率変化を明確にする必要がある。今回、1550nm帯のポンプ光パルスによって同じ波長帯のプローブ光が受ける吸収変化と屈折率変化について、その大きさと応答速度の測定を行った結果について、報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
中野 義昭
東京大学工学系研究科
-
竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
徐 在國
東京工業大学大学 院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
光本 哲弥
東京工業大学大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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