マストランスポートによるInAsP量子細線の作製と光学特性評価
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概要
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MOVPEに基づくマストランスポート法を用いInP基板V溝上にInAsP量子細線を作製することに成功した。量子細線のサイズはマストランスポートを行う温度によって制御可能であり、それとは独立に歪み及び細線の組成はマストランスポート中のV族雰囲気の組成で制御可能である。作製された量子細線はバリアとの強い格子不整合にも関わらず転移はの全くない良好な界面を有し、従来のV溝による作製法とは異なり余計な寄生構造を持たない特長をもつ。PLは室温においても強い発光を観測し量子細線の品質を裏付けている。また量子細線に固有の発光強度の偏波依存性も見られTEMによる観測と合わせてキャリアの有効な閉じ込めが推察できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-20
著者
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