GaInAsP-DFB導波路の光強度依存屈折率変化とその時間応各特性の測定(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
全光スイッチは、高速・大容量フォトニックネットワークへの移行に向け、必要不可欠なキーデバイスとして実現が期待される。これまでGaInAsP/InP分布帰還構造導波路中の屈折率が光強度によって変化する効果を利用して、全光スイッチングデバイスの動作実証を報告してきた。しかし、このデバイスの動作速度に関しては実験的に明らかにされていない。GaInAsP/InP導波路形全光スイッチングデバイスを形成するために、GaInAsPの光強度に依存した吸収変化と屈折率変化を明確にする必要がある。本報告では、光強度依存屈折率変化を測定するための基本として、DFB導波路中で1550nm帯のポンプ光によって誘起されるプローブ光の吸収変化測定結果を示す。また、ピコ秒オーダーのポンプパルスを用い、DFB導波路におけるプローブ光透過率の時間的変化を測定した結果について報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-01-22

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク