光アイソレータ集積化のためのレーザウェーハのエッチングプロセスの検討
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概要
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筆者らは, 集積化技術としてダイレクトボンディングを用いることにより, 半導体レーザと光アイソレータを同一基板上に集積化させることを検討している。集積化プロセスを図1に示す。エッチングプロセスでは, 垂直なレーザの端面を形成すると同時に, etch stop層でエッチングを止め, ダイレクトボンディングに適した平坦な面を形成することが要求される。本報告では, この条件を満たすようなエッチングプロセスを検討した結果を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
水本 哲弥
東京工業大学
-
横井 秀樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
内藤 喜之
東京工業大学工学部
-
内藤 喜之
東京工業大学
-
丸 浩一
東京工業大学 理工学研究科
-
丸 浩一
東京工業大学工学部
-
横井 秀樹
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小山 哲哉
東京工業大学工学部電子物理工学
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