半漏れ形光アイソレータの検討
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概要
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半漏れ形光アイソレータは、導波TEモードと放射TMモード間のモード変換を利用するものであり、磁気光学効果による非相反なモード変換とLiNbO_3による相反モード変換を組み合わせて、逆方向伝搬波に対してのみモード変換を発生させることができる。磁気光学結晶Ce:YIGにクラッド層としてLiNbO_3をダイレクトボンディングで装荷し、半漏れ形光アイソレータを製作した。試作デバイスにおいて、TEモード導波、TMモード放射の半漏れ導波路が形成され、波長1.55μmにおいてアイソレーション比7.2dB/cmが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-18
著者
-
水本 哲弥
東京工業大学
-
清水 雅史
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
横井 秀樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
成川 聖
東京工業大学 大学院理工学研究科
-
横井 秀樹
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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