Gd_3Ga_5O_12>とIII-V族化合物半導体のダイレクトボンディング
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概要
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光集積回路の実現のためには、異種材料間の集積化技術を開発しなければならない。同一基板上に磁気光学素子と半導体素子を形成することを目的として、磁気光学結晶成長用の基板として用いられるGd_3Ga_5O_12>(GGG)とレーザダイオードの基板となるInPについてダイレクトボンディングを試みた。本報告では、ダイレクトボンディングを実現する条件、ダイレクトボンディングのメカニズム及びその強度について検討した結果を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
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