集積形光アイソレータを目指したダイレクトボンディングにおけるウェハ処理法
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概要
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ニ枚の基板を接着剤を用いずに貼り合わせるダイレクトボンデイング技術を用いることにより、半導体を導波層とする集積形光アイソレータが製作可能となる。非相反移相効果を用いた光アイソレータを実現するために、GalnAsPとガーネット結晶のダイレクトボンディングについて研究を進めている。再現性良くダイレクトボンディングを実現するためのウェハ処理法について、接触角法により検討した結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-27
著者
-
水本 哲弥
東京工業大学
-
清水 雅史
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
横井 秀樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
-
横井 秀樹
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
鰐石 卓志
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
二口 尚樹
東京大学大学院工学系研究科
-
甲斐田 憲明
東京大学大学院工学系研究科
-
甲斐田 憲明
東京大学大学院 工学系研究科 電子工学専攻
-
二口 尚樹
東京大学先端科学技術研究センター,JST-CREST
-
二口 尚樹
東京大学先端科学技術研究センター Jst-crest
-
鰐石 卓志
東京工業大学
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