竹中 充 | 東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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概要
関連著者
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター
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竹中 充
東京大学電気系工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端研
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武田 浩司
東京大学先端科学技術研究センター
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竹中 充
東京大学工学系研究科
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宮原 利治
三菱電機株式会社
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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中野 義昭
東京大学工学系研究科
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宮原 利治
(財)光産業技術振興協会:2三菱電機株式会社
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宮原 利治
三菱電機株式会社 通信システム統括事業部
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センタ
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宮原 利治
三菱電機
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アルーアミン アブドゥッラー
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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アルアミン アブドゥッラー
株式会社KDDI研究所
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上塚 尚登
日立電線株式会社
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金間 泰樹
東京大学先端科学技術研究センター
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上塚 尚登
日立電線(株)オプトロシステム研究所
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上塚 尚登
日立電線株式会社 フォトニクス研究開発センタ:光産業技術振興協会
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アルアミン アブドゥッラー
KDDI研究所
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種村 拓夫
東京大学 先端科学技術研究センタ
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竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
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水本 哲弥
東京工業大学
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上塚 尚登
産業技術総合研究所
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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清水 克宏
三菱電機株式会社
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八田 竜夫
三菱電機株式会社
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本島 邦明
三菱電機株式会社情報総合研究所
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本島 邦明
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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竹中 充
東京大学先端科学技術研究センター
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高木 信一
東京大学
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尾中 寛
富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部
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堀内 幸夫
株式会社KDDI研究所
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青木 泰彦
富士通株式会社
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青木 泰彦
(株)富士通研究所
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甲斐 雄高
富士通株式会社
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瀧田 裕
富士通株式会社
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アルアミン アブドゥッラー
東京大学 先端科学技術研究センタ
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清水 克宏
東京大学 先端科学技術研究センタ
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西村 公佐
株式会社KDDI研究所
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猪原 涼
株式会社KDDI研究所
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宇佐見 正士
株式会社KDDI研究所
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猪原 涼
(株)KDDI研究所
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本島 邦明
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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竹中 充
東京大学
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レイバン モーラ
Infinera
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財津 優
東京大学先端科学技術研究センター
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西村 公佐
(株)kddi研究所
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尾中 寛
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通株式会社
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尾中 寛
株式会社富士通研究所:(財)光産業技術振興協会
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本島 邦明
三菱電機 情報技総研
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尾中 寛
富士通株式会社
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瀧田 裕
富士通株式会社:財団法人光産業技術振興協会
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財津 優
東京大学 先端科学技術研究センター
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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本島 邦明
三菱電機株式会社
-
尾中 寛
(株)富士通研究所
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宇佐見 正士
(株)KDD研究所
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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鄭 錫煥
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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金 孝昶
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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種村 拓夫
東京大学 先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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鄭 錫煥
東京工業大学大学院理工学研究科
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
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鄭 錫煥
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鍵本 太志
古河電気工業株式会社
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黒部 立郎
古河電気工業株式会社
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粕川 秋彦
古河電気工業株式会社
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有本 英生
日立製作所株式会社
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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鍵本 太志
大阪大 工
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粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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粕川 秋彦
古河電工
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社
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有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
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徐 在國
東京工業大学大学 院理工学研究科 電気電子工学専攻
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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宮崎 泰典
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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鍵本 大志
古河電気工業
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
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黒部 立郎
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
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有本 英生
日立製作所中央研究所
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森川 博之
東京大学先端科学技術研究センター
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今泉 英明
東京大学:(現)東京大学大学院工学系研究科
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渡部 克弥
東京大学
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松本 延孝
東京大学
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渡部 克弥
東京大学先端科学技術研究センター
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松本 延孝
東京大学大学院:(現)(株)kddi研究所
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ソーアンジ イブラヒム・ムラット
東京大学先端科学技術研究センター
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ヨルク ウィドマン
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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今泉 英明
東京大学国際・産学共同研究センター
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森川 博之
東京大学
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今泉 英明
東京大学
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財津 優
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
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ソーアンジ イブラヒム
東京大学先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学
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馬 炳眞
東京大学工学部 電子工学科
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齋藤 真澄
東京大学工学部電子工学科
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齋藤 真澄
東京大学工学部 電子工学科
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馬炳 眞
東京大学工学部 電子工学科
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馬 烟眞
東京大学工学部研究科 電子工学専攻
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中野 義昭
東京大学
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科
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小野 元司
旭硝子株式会社中央研究所
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近藤 裕己
旭硝子株式会社中央研究所
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杉本 直樹
旭硝子株式会社中央研究所
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小倉 一郎
日本電気株式会社 システムプラットフォーム研究所
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斉藤 哲也
中央大学大学院理工学研究科
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杉本 直樹
旭硝子株式会社 中央研究所
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アルアミン アブドゥラー
東京大学先端科学技術研究センター
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小野 元司
旭硝子株式会社 中央研究所
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ソーアンジ イブラーヒム・ムラット
東京大学先端科学技術研究センター
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近藤 裕己
旭硝子株式会社 中央研究所
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中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
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秦 雅彦
住友化学
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高木 信一
東京大学工学系研究科
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種村 拓夫
東京大学
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陰山 淳一
旭硝子株式会社中央研究所
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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藤田 博之
東京大学生産技術研究所マイクロメカトロニクス国際研究センター
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レイバン モーラ
インフィネラ
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武田 浩司
東京大学 先端科学技術研究センター
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ウィドマン ヨルク
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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薗部 忠
並木精密宝石(株)
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福原 昇
住友化学
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陰山 淳一
旭硝子株式会社 中央研究所
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広井 典良
並木精密宝石(株)
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上塚 尚登
日立電線 (株) オプトロシステム研究所
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藤田 博之
東京大学生産技術研究所
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高木 信一
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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金 相賢
東京大学電気系工学専攻
-
田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
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安田 哲二
産業総合研究所
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高木 信一
東京大学電気系工学専攻
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山田 永
住友化学
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上塚 尚登
日立電線
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横山 正史
東京大学工学系研究科
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
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アブドゥッラー アルアミン
東京大学 先端科学技術研究センタ
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佐藤 岳志
日立ハイテクノロジーズ
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金間 泰樹
東京大学 先端科学技術研究センター
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アルアミン アブゥラー
東京大学
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森井 清仁
東京大学
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岩崎 敬志
東京大学
-
中根 了昌
東京大学
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
アルアミン アブドゥツラー
東京大学 先端科学技術研究センタ
-
田中 俊輔
東京大学 先端科学技術研究センタ
-
WIEDMANN Jorg
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
光本 哲弥
東京工業大学大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
八田 竜夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
松本 弘昭
日立ハイテクノロジーズ
-
ソーアンジ イブラーヒム・ムラット
東京大学 先端科学技術研究センター
-
趙 毅
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
小山 晋
日立ハイテクノロジーズ
-
飯田 亮
東京大学電気系工学専攻
-
李 成薫
東京大学電気系工学専攻
-
卜部 友二
産業総合研究所
-
宮田 典幸
産業総合研究所
-
中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
一宮 佑希
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
市川 磨
住友化学株式会社
-
一宮 佑希
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
秦 雅彦
住友化学株式会社
-
横山 正史
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
市川 磨
住友化学
-
張 志宇
東京大学工学系研究科
-
金 相賢
東京大学工学系研究科
-
長田 剛規
住友化学
著作論文
- マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- GaInAsP-DFB導波路の光強度依存屈折率変化とその時間応各特性の測定(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 波長変換を用いた光バーストスイッチングノードとその多段接続性について((フォトニック)IPネットワーク技術,(光)ノード技術,WDM技術,一般)
- 波長変換を用いた光バーストスイッチングノードとその多段接続性について
- 伸張歪MQWを用いたMMI-BLDの偏波無依存フリップ・プロップ動作(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- BCS-1-6 半導体双安定レーザフリップフロップを用いた光パケットスイッチング技術(BCS-1,フォトニックネットワークを支える光スイッチ技術,シンポジウム)
- BCS-1-6 半導体双安定レーザフリップフロップを用いた光パケットスイッチング技術(BCS-1.フォトニックネットワークを支える光スイッチ技術,シンポジウム)
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 分布ブラッグ反射鏡を用いた全光フリップ・フロップの波長可変特性
- B-12-4 フェーズアレイ型1×N半導体光スイッチのスケーラビリティ(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- B-12-5 PLZT型光スイッチを用いた80Gb/s多波長パケット交換の検証(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- B-12-1 多波長光パケットと波長パスを組み合わせたハイブリッド型光ネットワーク(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- PLZT型光スイッチを用いた80Gb/s多波長光パケット転送実験
- 多波長光パケット交換と光回線交換を用いたハイブリッドネットワークに関する検討
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- DFB導波路全光スイッチの偏光無依存動作特性
- 光バースト信号の一定利得増幅とその波長変換への影響の実験的評価(MPλ(Lambda)S,フォトニックネットワーク/制御,光波長変換,スイッチング,PON,一般)
- 高密度光IC用ファイバアレイOPLEAF
- C-3-61 高密度ピッチ変換光ファイバアレイ"OPLEAF"の開発(2)(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- MMI型光ラベル・メモリによる320Gb/s光パケット・スイッチング
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ファブリペロ型半導体光増幅器を用いた波長変換
- ファブリペロ型半導体光増幅器を用いた波長変換
- ファブリペロ型半導体光増幅器を用いた波長変換
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- DFB導波路を用いた全光スイッチの偏光無依存化
- DFB導波路を用いた全光スイッチの偏光無依存化
- GaInAsP-DFB導波路の光強度依存屈折率変化とその時間応各特性の測定(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaInAsP-DFB導波路の光強度依存屈折率変化とその時間応各特性の測定(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaInAsP-DFB導波路の光強度依存屈折率変化とその時間応各特性の測定(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- 全光スイッチング素子を目的としたGaInAsPの光強度依存吸収変化/屈折率変化の測定(光無線システム(ROF, FWA等),光映像伝送(CATV含む,光アクセスシステム),一般)
- ファブリペロ型半導体光増幅器を用いた波長変換
- 高精度TEMと新しいデータ分析方法によるMOS界面ラフネス移動度及びその引張り歪みの影響の定量評価
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- フェーズアレイとSOAを用いたモノリシック集積1×100光スイッチ(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- C-3-52 III-V CMOSフォトニクスを用いたInGaAsP細線導波路光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス)
- InGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与えるメタルゲート電極の影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)