横山 正史 | 東京大学工学系研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
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安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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高木 信一
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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卜部 友二
産業技術総合研究所
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産業技術総合研究所
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産業技術総合研究所
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横山 正史
東京大学工学系研究科
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東京大学先端科学技術研究センター
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東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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東京大学先端科学技術研究センター
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雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
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東京大学工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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清水 大雅
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
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横山 正史
東京大学
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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ハイ ファムナム
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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高木 信一
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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山田 永
住友化学
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一宮 佑希
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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市川 磨
住友化学株式会社
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一宮 佑希
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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秦 雅彦
住友化学株式会社
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横山 正史
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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高木 信一
東京大学工学系研究科
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竹中 充
東京大学工学系研究科
著作論文
- Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
- CS-8-10 非相反損失変化に基づく集積化可能な導波路型光アイソレータ(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- C-3-52 III-V CMOSフォトニクスを用いたInGaAsP細線導波路光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス)