田中 雅明 | 東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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田中 雅明
東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
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清水 大雅
東京大学工学系研究科
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田中 雅明
東京大学
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菅原 聡
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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林 稔晶
東京大学工学系研究科
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雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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清水 大雅
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
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清水 大雅
東京大学 先端科学技術研究センター
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宮村 信
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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宮村 信
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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ナズムル アーサン
東京大学工学系研究科
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菅原 聡
東京大学 大学院工学系研究科 電子工学専攻
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島田 宏
電通大
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ハイ ファムナム
東大院工
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島田 宏
東大低温センター
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センタ
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安藤 功兒
電総研
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西永 頌
東京大学工学系研究科
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安藤 功見
電子技術総合研究所
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肥後 豊
東大工
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上田 和彦
東大工
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清水 大雅
東京大学先端科学技術研究センター
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雨宮 智宏
東京大学 先端科学技術研究センター
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高橋 和彦
東大 大学院
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清水 大雅
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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上田 和彦
東京大学大学院工学系研究科電子工学
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安藤 功児
電総研
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ナズムル アーサン
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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菅原 聡
東京大学
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西永 頌
名古屋大学工学部
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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山口 智弘
Erato
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樽茶 清悟
ERATO SORST
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大矢 忍
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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島田 宏
東大低温セ
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田中 雅明
東大工
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林 稔晶
Ntt物性基礎研
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菅原 聡
Department Of Electronic Engineering The University Of Tokyo
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島田 宏
東京大学低温センター
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安藤 功兒
電子技術総合研究所
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塩田 隆
電総研
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林 稔晶
東工大
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田中 雅明
東工大
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大野 圭司
東大理
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山口 智宏
理研
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中根 了昌
東京大学
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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中野 義昭
東京大学先端研
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ハイ ファムナム
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東大工学系研究科
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林 稔晶
東大工
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YOKOYAMA Masafumi
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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HAI P.
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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塩田 隆
電子技術総合研究所
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斎藤 要
東大 大学院
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Hai Pham
東京大学
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SUGAHARA Satoshi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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林 稔晶
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
斎藤 要
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
高橋 和彦
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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林 稔晶
東大工学系電子工学
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清水 大雅
東大工学系電子工学
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高橋 和彦
東大工学系電子工学
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田中 雅明
さきがけ
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肥後 豊
東京大学 大学院工学系研究科 電子工学専攻
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TANAKA Masaaki
Department of Physiology, Osaka City University Graduate School of Medicine
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近藤 潤
東京大学
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MATSUNO Tomohiro
Department of Electronic Engineering, The University of Tokyo
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田中 雅明
CREST
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Sugahara Satoshi
Department Of Electronic Engineering The University Of Tokyo
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Matsuno Tomohiro
Department Of Electronic Engineering The University Of Tokyo
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ハイ ファムナム
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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ナズムル アーサン
東京大学
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ナズムル アーサンm.
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻:jstさきがけ研究21
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Tanaka Masaaki
Department Of Computer Engineering University Of Hyogo:(presently With)mitsubishi Electric Co.
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樽茶 清悟
ERATO
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横山 正史
東京大学工学系研究科
著作論文
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 8a-E-11 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのX線吸収微細構造による局所構造解析
- 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
- CS-8-10 非相反損失変化に基づく集積化可能な導波路型光アイソレータ(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ、MEMS)・光ファイバ、一般)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ
- 強磁性半導体GaMnAsを用いたGaMnAs/AlAs/InGaAs/AlAs/GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗効果
- III-V族磁性半導体および磁性体/半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
- 30p-ZF-4 (GaMn)As/AlAsおよびMnAs/GaAsヘテロ構造における磁気輸送特性
- GaAs/AlAs DBRとMnAsナノクラスターを含む半導体積層構造の設計、作製及び磁気光学特性(磁気光学・光磁気記録)
- GaAs/AlAs DBRとMnAsナノクラスターを含む半導体積層構造の設計及び磁気光学物性
- 28a-YN-7 希薄磁性半導体トンネル接合 : GaMnAs/AlAs/GaMnAsにおける巨大トンネル磁気抵抗効果
- 磁性体/半導体エピタキシャル超構造:3-5族強磁性半導体および磁性体/半導体ヘテロ構造のエピタキシャル成長と物性
- MnAs/GaAsグラニュラー構造の磁気・磁気光学的性質
- 磁性半導体(GaMn)Asの電気的, 磁気的特性の成長条件依存性
- 半導体をベースとしたエピタキシャル強磁性ヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗効果とその応用可能性
- エピタキシャルMnAs/NiAs/MnAsヘテロ構造におけるスピン注入磁化反転効果
- MnδドープGaAsをベースとした半導体ヘテロ構造の物性と高い強磁性転移温度(-172K)
- Novel Reconfigurable Logic Gates Using Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
- MnAsテノクラスターとGaAs/AlAs半導体DBRからなる多層膜における磁気光学効果の増大
- 半導体ベース磁性フォトニック結晶
- GaAs/AlAs DBRを用いた半導体/強磁性体金属複合構造GaAs:MnAs及び磁性半導体(GaMn)Asの磁気光学効果の増大
- 分子線エピタキシーによるSiとGaAs基板上に成長した強磁性MnAsエピタキシャル薄膜の 磁気光学スペクトル
- 26pVD-4 スピン起電力と巨大磁気抵抗効果(スピン流に関わる新現象-スピン流は電磁気学をどこまで変えるか-,領域3,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pVD-4 スピン起電力と巨大磁気抵抗効果(領域3,領域4合同シンポジウム:スピン流に関わる新現象-スピン流は電磁気学をどこまで変えるか,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 半導体におけるスピン生成 : 半導体スピントロニクスの最近の進展
- CT-1-8 スピンデバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 半導体スピンエレクトロニクス : 現状と展望
- 半導体スピンエレクトロニクス
- ニピタキシャルIII-V族強磁性半導体ヘテロ構造とそのトンネル磁気抵抗効果
- 総論 スピントロニクスの現状と展望
- III-V族半導体中に形成されたMnAsナノクラスター構造の磁気光学効果と半導体導波路型光アイソレータへの応用