安藤 功兒 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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安藤 功兒
電子技術総合研究所
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秋本 良一
電子技術総合研究所
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安藤 功兒
電総研
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谷 俊朗
電子技術総合研究所
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谷俊 朗
共生科学技術研究院
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安藤 功見
電子技術総合研究所
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秋本 良一
電総研
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佐々木 史雄
電総研
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佐々木 史雄
電子技術総合研究所
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小林 俊介
電子技術総合研究所
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横山 侑子
電子技術総合研究所
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Zaets W.
電総研
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横山 侑子
産総研エレクトロニクス
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安藤 功児
電総研
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安藤 功兒
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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小林 俊介
産総研光技術
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小林 俊介
電総研
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谷 俊朗
電総研
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Karczewski G.
ポーランド科学アカデミー
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Wojtowicz T.
ポーランド科学アカデミー
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Kossut J.
ポーランド科学アカデミー
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田上 尚男
電総研
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大成 誠之助
筑波大学物理工学系
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佐々木 史雄
産総研光技術
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湯浅 新治
電子技術総合研究所
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バジム ザエツ
キエフ大学
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大越 正敏
九州工業大学
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竹内 敦子
東邦大学理学部
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ZAETS Wadim
電子技術総合研究所
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Mackowski S.
ポーランド科学アカデミー物理学研究所
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G Karczewske
ポーランド科学アカデミー物理
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ザエツ バジム
キエフ大学
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大越 正敏
九州工大
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品川 公成
東邦大学理学部
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ZAETS W.
産総研
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坂井 留利子
東邦大学理学部
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Zaets W
電子技術総合研究所
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T Wojtowicz
ポーランド科学アカデミー
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Wojtowicz T.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
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島田 宏
電通大
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相浦 義弘
産総研
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島田 宏
東大低温センター
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川越 毅
大阪教育大
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田中 雅明
東大工
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相浦 義弘
電子技術総合研究所
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西原 美一
電子技術総合研究所
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荒井 祓彦
明治大
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川越 毅
Jrcat-atp
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川越 毅
Jrcat
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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片山 利一
電子技術総合研究所
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田中 雅明
東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
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林 稔晶
東京大学工学系研究科
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西永 頌
東京大学工学系研究科
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島田 宏
東京大学低温センター
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千葉 淳弘
筑波大学物理工学系
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臼倉 将司
明治大
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臼倉 将司
明治大学理工学部
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荻原 忠意
明治大学理工学部
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荒井 祓彦
明治大学理工学部
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鈴木 義茂
JRCAT
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新庄 輝也
京都大学化学研究所
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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鈴木 義茂
電子技術総合研究所, JRCAT-産業技術融合領域研究所
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鈴木 義茂
電子技術総合研究所
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鈴木 義茂
Jrcat-融合研
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斎藤 秀和
産総研
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渡邊 一弘
九州工業大学
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小野 輝男
慶應義塾大学
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安藤 功兒
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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谷 俊明
電子技術総合研究所
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斎藤 秀和
電子技術総合研究所
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三島 善行
東大工
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田上 尚男
電子技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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対馬 立郎
東邦大理
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重藤 訓志
京都大学化学研究所
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Gogol P.
CNRS-パリ南大
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Miltat J.
CNRS-パリ南大
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Thiaville A.
CNRS-パリ南大
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大越 正敏
九州工業大学情報工学部
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大越 正敏
九工大 情報工
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品川 公成
東邦大・理
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J Kossut
ポーランド科学アカデミー
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Zaets W.
電総研 キエフ大学
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平野 敬祥
明治大学理工学部
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ZAETS W.
電子技術総合研究所
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奥田 高士
電子技術総合研究所
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対馬 立郎
電子技術総合研究所
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竹内 敦子
東邦大・理
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坂井 留利子
東邦大・理
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渡邉 一弘
九工大
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ZAETS W.
電総研, キエフ大学
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鈴木 義茂
電総研:jrcat-融合研
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重藤 訓志
理研
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Kossut J.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
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蓑 陽一
筑波大学物理工学
-
蓑 陽一
筑波大
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西永 頌
名古屋大学工学部
著作論文
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- レーザーアブレーション法によるバリウムフェライト薄膜の作製
- Cd_Mn_χTe薄膜光導波路の光学損失
- 半導体の光・スピン機能と応用の可能性
- 23pSB-12 III-V族新希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの磁気的性質
- 22aK-6 (Ga,Mn)AsのΛ点における磁気光学スペクトル
- 22aK-3 Crイオンを含むIII-V族希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの合成と評価
- 遷移金属イオンを含むGaAsの合成と評価 -III-V族新希薄磁性半導体の合成の試み-
- 29a-ZE-10 巨大ゼーマン分裂サブレベル間における超高速キャリア・スピンダイナミクス
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_χTeの合成と評価
- 31p-YH-2 Cd_Mn_xTe/Cd_Mg_yTe量子井戸における磁場中でのキャリアー・Mnスピンの高速ダイナミクス
- 8a-E-7 フェムト秒時間分解磁気光カー効果によるスピンの歳差運動の観測とその光制御
- 29p-R-8 CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸におけるキャリアースピンの高速緩和(II)
- CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸におけるキャリアースピンの高速緩和
- 2p-X-5 CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸中の励起子における縮退四光波混合の磁場効果
- 30a-Z-2 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子の超高速ダイナミクス磁気光物性
- 31p-YL-4 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子スピン緩和の超高速分光
- 微細加工された強磁性細線の偏光顕微鏡による観察
- レーザー蒸着法により作製したLa-Bi-Sr-Mn-O薄膜の磁気光学効果および電気伝導
- Ru^置換ガーネットの磁気光学効果
- Ru^置換GCCにおける磁気光学効果
- Cd_Mn_XTe薄膜光導波路の光学損失
- 3a-R-9 Fe_Cu_xCr_2S_4(0
- 希薄磁性半導体の光機能
- 30a-C-4 MCDからみた閃亜鉛鉱型MnTeの電子物性
- レーザーアブレーション法によるCd_Mn_xTe微粒子の作製