レーザーアブレーション法によるバリウムフェライト薄膜の作製

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概要

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• BaFe_<12>O_<19> epitaxial hexaferrite films were prepared on cplane (0001) sapphire substrates by pulsed laser deposition at various substrate temperatures and oxygen atmosphere pressures.Physical properties of the films such as their crystal structure, surface morphology, magnetizatin, and magneto-optics were evaluated. It was found that the epitaxial films with highly crystallographical quality could be prepared at a substrate temperature of 780℃ and an oxygen atmosphere pressure of 200 mTorr.The saturation magnetization M_s and uniaxial anisotropy constants K_u were determined to be about 350 G and 3.0x10^6 erg/cc, respectively, which are close to the values for the bulk material.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 1998-04-15

著者

• 荒井 祓彦

  明治大

• 片山 利一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 片山 利一

  電子技術総合研究所

• 安藤 功兒

  電子技術総合研究所

• 横山 侑子

  電子技術総合研究所

• 安藤 功見

  電子技術総合研究所

• 臼倉 将司

  明治大

• 臼倉 将司

  明治大学理工学部

• 荻原 忠意

  明治大学理工学部

• 荒井 祓彦

  明治大学理工学部

• 湯浅 新治

  電子技術総合研究所

• 湯浅 新治

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 横山 侑子

  産総研エレクトロニクス

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