安藤 功見 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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安藤 功見
電子技術総合研究所
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安藤 功児
電総研
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安藤 功兒
電総研
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安藤 功兒
電子技術総合研究所
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ZAETS Wadim
電総研
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千葉 淳弘
筑波大
-
田上 尚男
電総研
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横山 侑子
電子技術総合研究所
-
喜多 英治
筑波大物工
-
小野 一修
筑波大物工
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西川 正一
富士フィルム
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横山 侑子
産総研エレクトロニクス
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小野 一修
筑波大
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安居 主税
筑波大物工
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林 稔晶
東大
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田中 雅明
東大 さきがけ
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TWARDOWSKI A.
ワルシャワ大
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千葉 淳弘
筑波大学物理工学系
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大成 誠之助
筑波大学物理工学系
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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林 稔晶
東大工
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湯浅 新治
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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品川 公成
東邦大学理学部
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安居 主税
筑波大
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Twardowski A.
Warsaw大
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島田 宏
電通大
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相浦 義弘
産総研
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大成 誠之助
筑波大院数物
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湯浅 新治
産総研
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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渡辺 純二
阪大理
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田崎 明
筑波大物工
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島田 宏
東大低温センター
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相浦 義弘
電子技術総合研究所
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佐藤 俊彦
Jrcat
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荒井 祓彦
明治大
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山本 夕可
北大理
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中原 純一郎
北大理
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片山 利一
電総研
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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片山 利一
新機能素子研究開発協会
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片山 利一
電子技術総合研究所
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斉藤 敏明
東邦大理
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新井 敏弘
石巻専修大理工
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大成 誠之助
筑波大物工
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品川 公成
東邦大
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篁 耕司
北大理
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渡辺 純二
北大理
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田中 雅明
東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
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林 稔晶
東京大学工学系研究科
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西永 頌
東京大学工学系研究科
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島田 宏
東京大学低温センター
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塩田 隆
電総研
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林 稔晶
東工大
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田中 雅明
東工大
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河島 整
電子技術総合研究所
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大成 誠之助
筑波大 物工
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臼倉 将司
明治大
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臼倉 将司
明治大学理工学部
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荻原 忠意
明治大学理工学部
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荒井 祓彦
明治大学理工学部
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湯浅 新治
電子技術総合研究所
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新井 敏弘
石巻専修大学理工学部電子材料工学科
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篁 耕司
東北大通研
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鈴木 義茂
JRCAT
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田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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鈴木 義茂
Jrcat-融合研
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バジム ザエツ
キエフ大学
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大越 正敏
九州工業大学
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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竹内 敦子
東邦大学理学部
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ZAETS Wadim
電子技術総合研究所
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対馬 立郎
東邦大理
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塩田 隆
電子技術総合研究所
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ザエツ バジム
キエフ大学
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大越 正敏
九州工大
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斎藤 敏明
東邦大
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大越 正敏
九工大 情報工
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齋藤 敏明
東邦大・理
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品川 公成
東邦大・理
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対馬 立郎
東邦大・理
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田崎 明
筑波大学低温センター・筑波大学物理工学系
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栗本 正樹
東邦大
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ZAETS W.
産総研
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Zaets W.
電総研 キエフ大学
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河島 整
電総研
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対馬 立郎
東邦大 理
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平野 敬祥
明治大学理工学部
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ZAETS W.
電子技術総合研究所
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松林 澄恵
東邦大
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新井 敏弘
筑波大・物工
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坂井 留利子
東邦大学理学部
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竹内 敦子
東邦大・理
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坂井 留利子
東邦大・理
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渡邉 一弘
九工大
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ZAETS W.
電総研, キエフ大学
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鈴木 義茂
電総研:jrcat-融合研
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新井 敏弘
石巻専修大学
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Zaets W
電子技術総合研究所
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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蓑 陽一
筑波大学物理工学
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河島 整
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
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蓑 陽一
筑波大
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湯浅 新治
産総研エレ
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西永 頌
名古屋大学工学部
著作論文
- Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性IV
- GaAs基板上のCd_Mn_Xte磁気光学導波路におけるTE-TMモード変換
- GaAs基板上の低光伝播損失Cd_Mn_xTe光導波路
- 28p-YN-5 CdTe/CdMnTe量子井戸薄膜における量子準位と3d多重項状態間のエネルギー緩和
- GaAs中に形成したサブミクロンMnAs強磁性微粒子
- A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
- 30a-PS-27 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性II
- 31p-YH-9 Ni系希薄磁性半導体の磁気光学スペクトル
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_xTe の合成と評価
- III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
- 強磁性希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの電子状態
- 6a-PS-129 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性
- 8a-E-14 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの磁気円二色性
- 8a-E-11 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのX線吸収微細構造による局所構造解析
- レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価 (磁気光学・光磁気記録)
- 30p-R-10 新しい希薄磁性半導体(Zn, Ni)Teの合成とそのp-d交換相互作用の評価
- Cd_Mn_xTe薄膜の分光エリプソメトリー
- 半導体基板上へのCd_Mn_xTe薄膜の成長と光導波特性
- レーザーアブレーション法によるバリウムフェライト薄膜の作製
- 高品質強磁性トンネル接合素子の作製
- 次世代MRAMのための新材料技術--記憶容量1Gbitの壁を破るためのMRAMの材料開発動向を紹介する (特集2 次世代不揮発性メモリの開発動向)
- レーザー蒸着法により作製したLa-Bi-Sr-Mn-O薄膜の磁気光学効果および電気伝導
- (Co^, Ge^)置換YIGにおける磁気光学効果の温度変化
- Ru^置換GCCにおける磁気光学効果
- Cd_Mn_XTe薄膜光導波路の光学損失
- レーザーアブレーション法によるCd_Mn_xTe微粒子の作製