新しい希薄磁性半導体Zn_<1-x>Ni_xTe の合成と評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
19aTA-2 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
19pPSB-1 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4Pbl_6・2H_2Oの光学的性質と圧力誘起効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
-
Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性IV
-
Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性II
-
5p-F-11 MnTe:Sb系薄膜の作製と磁気光学効果
-
GaAs基板上のCd_Mn_Xte磁気光学導波路におけるTE-TMモード変換
-
GaAs基板上の低光伝播損失Cd_Mn_xTe光導波路
-
III-V族希薄磁性半導体Ga1-xMnxAsの構造と電子状態 (特集 材料科学)
-
28p-YN-5 CdTe/CdMnTe量子井戸薄膜における量子準位と3d多重項状態間のエネルギー緩和
-
GaAs中に形成したサブミクロンMnAs強磁性微粒子
-
A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
-
日本応用磁気学会光スピニクス特別専門研究会(第18回光スピニクス専門研究会)「最近のレーザー技術と磁性研究」
-
30a-PS-27 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性II
-
31p-YH-9 Ni系希薄磁性半導体の磁気光学スペクトル
-
新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_xTe の合成と評価
-
III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
-
強磁性希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの電子状態
-
6a-PS-129 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性
-
8a-E-14 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの磁気円二色性
-
8a-E-11 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのX線吸収微細構造による局所構造解析
-
レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価 (磁気光学・光磁気記録)
-
30p-R-10 新しい希薄磁性半導体(Zn, Ni)Teの合成とそのp-d交換相互作用の評価
-
Cd_Mn_xTe薄膜の分光エリプソメトリー
-
半導体基板上へのCd_Mn_xTe薄膜の成長と光導波特性
-
A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
-
24pZC-6 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移におけるカルコゲン置換効果(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
12aYB-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の f-f 遷移における結晶場効果の温度依存性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
-
高真空レーザ蒸着によるFePt合金薄膜の成長
-
レーザーアブレーション法によるBaフェライト薄膜の作製
-
30pTE-12 (CH_3NH_3)PbBr_3の圧力誘起構造相転移と電子状態(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
-
23aE-11 トンネル磁気抵抗効果のバイアス依存性と温度依存性
-
Al_2O_3反応性蒸着による強磁性トンネル接合の作製
-
高光透過率Fe/MgF_2多層膜の磁気・光学的性質
-
A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
-
A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
-
23pSB-3 酸化物希薄磁性半導体Zn_TM_xO(TM:遷移金属)の磁気光学スペクトル
-
28aTB-6 新III-V 族希薄磁性半導体Ga_Cr_xAsの伝導特性
-
22aK-6 (Ga,Mn)AsのΛ点における磁気光学スペクトル
-
22aK-3 Crイオンを含むIII-V族希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの合成と評価
-
遷移金属イオンを含むGaAsの合成と評価 -III-V族新希薄磁性半導体の合成の試み-
-
2p-X-5 CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸中の励起子における縮退四光波混合の磁場効果
-
30a-Z-2 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子の超高速ダイナミクス磁気光物性
-
31p-YL-4 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子スピン緩和の超高速分光
-
(YNd)_3Fe_5O_膜の複屈折 : 評価
-
(Ynd)_3Fe_5O_膜のLPE成長 : フラックス成長
-
MnSb薄膜の作製及びその磁気光学効果の基板依存性
-
29a-PS-57 MnSb薄膜の作製とその磁気光学効果
-
28a-YQ-11 Surface Structure of the first few Monolayers of Fe deposited at Room Temperature on GaAs (100) Substrates
-
14a-DE-9 時間分解発光測定によるCdTe/Cd_Mn_xTe多重量子井戸構造の物性評価
-
23pE-9 微細加工された強磁性細線の偏光顕微鏡による観察
-
微細加工された強磁性細線の磁区と磁壁の運動II マイクロマグネティックスシミュレーション
-
微細加工された強磁性細線の磁区と磁壁の運動1 偏光顕微鏡による観察
-
27pXS-1 面共有及び頂点共有一次元有機無機ペロフスカイト半導体の光伝導(低次元物質)(領域5)
-
22aTA-7 頂点共有一次元ペロフスカイト型半導体 [NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5 の光学的性質 II
-
20pPSB-29 Cr_2O_3のラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
14pXD-14 ヘマタイトの多マグノン励起 III : ラマン分光(酸化物磁性, 領域 3)
-
30a-N-13 CdTe/Cd_Mn_xTe多重量子井戸構造の強磁場吸収スペクトル
-
29pYB-3 超薄バリア層のトンネル磁気抵抗効果
-
28aPS-64 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質III(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
28aXS-6 希ガス中レーザーアブレーションにより生成されたサイズ選別Siナノ粒子の発光機構(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
-
17pRF-10 高圧下における鉛ハロゲン層状ペロフスカイト型半導体の励起子状態
-
25aPS-61 CdSeナノ粒子の高圧下光学特性におけるサイズ効果(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
Au(111)再配列面上へのCoドット配列の作製と磁性
-
Nd:GGG膜のLPE成長とその光学的性質
-
29aZK-5 (ZnCd)-In-(SSe) 系非晶質半導体の局所構造と光学的性質 II
-
28pTC-5 非晶質半導体(ZnCd)-In-(SSe)系の局所構造と非晶質状態
-
レーザー蒸着法によるLa-Bi-Sr-Mn-O薄膜の電気伝導特性
-
27a-ZL-8 YBa_2Cu_3O_薄膜の磁気円二色性
-
27p-W-5 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜のMCDスペクトル
-
2p-X-20 Cd_Mn_xTe薄膜のMCDスペクトル(II)
-
18aRG-8 一次元有機無機複合型半導体の圧力誘起構造相転移と電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
-
20aRG-8 C_ナノチューブのラマン散乱と光学的性質(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
-
24aYF-5 C_ナノウィスカーの光誘起構造変化と残留溶媒分子の効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
-
25aPS-74 逆ミセル法によって作製したCdSナノ粒子の高圧下における構造と光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
20pPSB-3 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
24aPS-95 (NH_2CH=NH_2)_x(CH_3NH_3)_PbBr_3の光学的性質におけるケミカルプレッシャー効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
24aPS-89 レーザーアブレーション法によるIII-VI族化合物半導体ナノ粒子の作製と光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
24aPS-87 逆ミセル法によって作製されたInSナノ結晶の光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
24aPS-86 逆ミセル法によって作製したEu添加CdSナノ結晶の発光過程(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
-
13pPSA-68 有機無機複合型層状ペロフスカイト半導体の光学的性質における金属陽イオン置換効果(領域 5)
-
12pXD-9 有機無機複合型層状及び立方ペロフスカイト半導体の高圧下における構造相転移と励起子状態(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
-
28a-ZL-9 磁性体の磁気光学効果を用いた超伝導薄膜の磁束密度分布の観察
-
Ru^置換GCCにおける磁気光学効果
-
28a-K-3 Zn-Cr-Te系薄膜の作製と磁気光学特性
-
14a-DE-15 MnTeのd-d発光 I
-
30aPS-62 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープしたCdSナノ結晶の作製とその光学的性質II(領域5ポスターセッション)(領域5)
-
22pPSA-44 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープした CdS ナノ結晶の作製とその光学的性質
-
レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価
-
27aYG-4 Sm添加カルコゲナイド系非晶質半導体のf-f遷移における結晶場効果(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
-
22pTL-3 Sm 添加カルコゲナイド系非晶質半導体の光学的性質
-
22pPSA-50 レーザーアブレーション法による GaSe ナノ粒子の作製と光学的性質
-
17pYJ-4 MGa_2Se_4(M=Cd, Zn)単結晶の圧力下ラマン散乱スペクトル
-
22pTL-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の光学的性質
-
21pXF-10 A_XC_(A=K, Rb : x=3,6) の圧力下ラマン散乱
-
29pZB-10 アルカリ金属ドープ C_ のラマン散乱の圧力温度依存性
-
28pZH-7 (CH_3NH_3) PbX_3 (X=CI, Br) 単結晶の高圧下光物性 II
-
17pRF-11 鉛ハロゲン系ペロフスカイト単結晶(CH_3NH_3)PbBr_3の高圧下光物性
-
30aXD-1 C_単結晶の高圧下光照射効果の温度依存性
-
30aYG-9 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4PbI_6・2H_2Oの発光とラマン散乱
-
28pTC-4 非晶質半導体As-S系のサブバンドギャップ光誘起構造変化と光準弾性散乱
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク