Nd:GGG膜のLPE成長とその光学的性質
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2a-LE-6 ZnCr_2O_4単結晶の中性子回折
-
4a-KG-11 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果Iラマン散乱と発光
-
Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性IV
-
Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性II
-
5p-F-11 MnTe:Sb系薄膜の作製と磁気光学効果
-
29a-U1-5 Fe/Cu_2層膜の磁気Kerr回転スペクトル
-
29p-O-4 コバルト-貴金属人工格子の構造評価とNMR
-
GaAs基板上のCd_Mn_Xte磁気光学導波路におけるTE-TMモード変換
-
GaAs基板上の低光伝播損失Cd_Mn_xTe光導波路
-
III-V族希薄磁性半導体Ga1-xMnxAsの構造と電子状態 (特集 材料科学)
-
28p-YN-5 CdTe/CdMnTe量子井戸薄膜における量子準位と3d多重項状態間のエネルギー緩和
-
GaAs中に形成したサブミクロンMnAs強磁性微粒子
-
A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
-
日本応用磁気学会光スピニクス特別専門研究会(第18回光スピニクス専門研究会)「最近のレーザー技術と磁性研究」
-
30a-PS-27 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性II
-
31p-YH-9 Ni系希薄磁性半導体の磁気光学スペクトル
-
新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_xTe の合成と評価
-
III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
-
強磁性希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの電子状態
-
6a-PS-129 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性
-
8a-E-14 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの磁気円二色性
-
8a-E-11 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのX線吸収微細構造による局所構造解析
-
レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価 (磁気光学・光磁気記録)
-
30p-R-10 新しい希薄磁性半導体(Zn, Ni)Teの合成とそのp-d交換相互作用の評価
-
Cd_Mn_xTe薄膜の分光エリプソメトリー
-
半導体基板上へのCd_Mn_xTe薄膜の成長と光導波特性
-
A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
-
高真空レーザ蒸着によるFePt合金薄膜の成長
-
Bi系超伝導体単結晶およびエピタキシャル薄膜の反射スペクトルと光学定数
-
3a-L-11 Co/Cu(100)単結晶人工格子のNMR測定
-
3p-B4-1 金属単結晶成長におけるRHEED強度振動の観察
-
3a-T-4 スピネル系磁性半導体の光伝導
-
29a-D-10 酸化物超伝導体のラマン散乱
-
27a-S-13 Ba_2YCu_3O_単結晶作製と評価
-
反応性イオンビームスパッタ法によるY-Bi-Fe系ガーネット膜のエピタキシャル成長 : 気相成長
-
イオンビームスパッタ法によるBi置換YIG膜のエピタキシャル成長
-
3a-Q-4 るつぼ回転法による結晶作製と光吸収特性
-
るつぼ回転法による結晶作製と成長過程の観察 : 融液成長I
-
イオンビームスパッタ法によるBi置換YIG膜の作製 : エピタキシー
-
4a-I-5 フラックス法における結晶化過程
-
(YNd)_3Fe_5O_膜の複屈折 : 評価
-
(Ynd)_3Fe_5O_膜のLPE成長 : フラックス成長
-
YIG:Gi単結晶作製と磁気光学的性質
-
1p-E-9 YIG:Biの結晶作製と磁気光学的性質
-
4a-F-1 (Bi, Y)_3Fe_5O_の磁性
-
4a-C-4 LiKC_4H_4O_6・H_2Oのラマン散乱
-
Y-Ba-Cu-O-F系超伝導体の作製と評価
-
4a-K-11 FeBO_3のラマン散乱
-
液相エピタキシー法によるBi-Lu鉄ガーネット薄膜の磁気特性と熱処理効果
-
高濃度Nd置換鉄ガーネット膜の磁気特性と熱処理効果
-
Nd:GGG膜のLPE成長とその光学的性質
-
光メモリ磁性材料 (エレクトロニクス新材料のすべて--半導体関連材料から超電導材料まで) -- (メモリ・磁気関連材料)
-
5a-U-6 Fe_CuxCr_2S4(X≈0.5)の磁性
-
1a-M-9 カルコゲンクロマイト単結晶のEPMAによる分析
-
27p-W-5 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜のMCDスペクトル
-
2p-X-20 Cd_Mn_xTe薄膜のMCDスペクトル(II)
-
12a-T-5 Fe_3BO_6のスピン構造に及ぼすCoの効果
-
Cz法によるGLGG単結晶の育成 : 融液成長II
-
25a-M-6 Fe_3BO_6のスピン再配列
-
10a-K-8 弱強磁性体Fe_3BO_6の光学的および磁気的性質
-
12a-Q-7 弱強磁性体FeBO_3における多重マグノンサイドバンド
-
6p-L-4 FeBO_3の2マグノンラマン散乱
-
30p-PSB-15 Nd_Ba_Cu_3O_におけるNdとBaの置換の検証
-
29a-U1-4 γ-Fe/Cu人工格子成長過程のRHEEDによるその場観察
-
薄膜磁気光学素子
-
Bi置換磁性ガ-ネット液相エピタキシャル膜の成長誘導複屈折
-
3p GF-7 トラベリングヒータ法によるCdCr_2Se_4単結晶成長(III)
-
31p GM-5 Fe_Cu_xCr_2S_4のXPSおよびメスバウアースペクトル
-
強磁性半導体CdCr_2Se_4単結晶の評価 : 結晶評価
-
強磁性半導体CdCr_2Se_4単結晶のフラックス法による成長 : フラックス成長
-
9p-Q-3 CdCr_2X_4(X:S,Se)の電子構造とスピン依存フォノンラマン散乱
-
イオンビームスパッタ法によるLa置換Bi_3Fe_5O_膜作成の試み : 薄膜
-
8p-S-1 FeBO_3の磁性
-
9p-Q-2 CdCr_2X_4(X:S,Se)のもう1つのred shift遷移
-
5p-F-16 Cd_Fe_xCr_2S_4の異常なファラデー効果
-
7p-G-4 磁性半導体CdCv_2X_4の変調分光
-
8p-N-3 CdC_Se_4のフオークト効果と磁気直線二色性
-
8p-N-2 Cd_Fe_xCr_2S_4のフオークト効果と磁気直線二色性
-
7p-J-4 磁性半導体CdCv_2X_4の温度変調反射スペクトルと磁気円偏光二色性
-
4p-Y-15 Cd_Fe_xCr_2S_4の磁気光学的性質
-
10p-T-15 磁性半導体CdCr_2S_4の温度変調反射スペクトル
-
12p-M-11 Cd_Fe_xCr_2S_4の磁性と光学的性質
-
4a-AH-10 トラベリングヒータ法によるCdCr_2Se_4単結晶成長II
-
3a-AG-7 Fe_yCr_2S_4(y
-
31p-LD-14 Fe_Cu_xCr_2S_4系の電気伝導におけるFe^およびFe^イオンの寄与
-
3p-KG-2 Fe_3BO_6のスピン再配列 II
-
24a-H-16 FeBO_3の光吸収の微細構造 : 多重マグノンか多重フォノンか
-
31p-LD-13 トラベリングヒータ法によるCdCr_2Se_4単結晶成長
-
31p-LD-12 CdCr_2Se_4のフラックス法による単結晶成長(II)
-
10a-D-3 Fe_Cu_xCr_2S_4の磁気抵抗効果(II)
-
10a-D-1 クラックス法によるCdCr_2Se_4の単結晶成長
-
5p-F-15 Fe_Cu_xCr_2S_4系の熱起電力の雰囲気熱処理効果
-
5a-X-1 Fe_Cu_xCr_2S_4系の磁性と電気的性質
-
-
5p-F-14 Fe_Cu_xCr_2S_4の磁気抵抗効果
-
12p-M-10 (Fe,Cu)Cr_2S_4系の磁性と電気伝導
-
2p-M1-5 BaFeO_の磁性(磁性(酸化物))
-
1a-B2-8 Bi_3Fe_5O_ ガーネットの磁気光学的性質(イオン結晶・光物性)
-
30a-BH-3 磁性ガーネットの磁気光学効果と光学異方性(主題:磁気光学の現状と展望,磁性シンポジウム)
-
29a-PS-86 FeおよびCo超薄膜の表面磁気光学Kerr効果(SMOKE)の測定(29a PS 磁性(C, F, H))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク