4a-F-1 (Bi, Y)_3Fe_5O_<12>の磁性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2a-LE-6 ZnCr_2O_4単結晶の中性子回折
-
29p-APS-62 Dy(Co,Ni)_2X_2(X:Si,Ge)の磁性
-
イオンビ-ムによる照射損傷と材料応用 (活性粒子による新表層材料創製の研究)
-
超伝導転移端(TES)マイクロカロリメーターアレイの開発
-
ブリッジ構造超伝導転移端マイクロカロリメーターのX線信号波形解析
-
超伝導転移を利用したカロリーメーターの設計と作製
-
31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
-
3a-T-4 スピネル系磁性半導体の光伝導
-
29a-D-10 酸化物超伝導体のラマン散乱
-
反応性イオンビームスパッタ法によるY-Bi-Fe系ガーネット膜のエピタキシャル成長 : 気相成長
-
イオンビームスパッタ法によるBi置換YIG膜のエピタキシャル成長
-
3a-Q-4 るつぼ回転法による結晶作製と光吸収特性
-
るつぼ回転法による結晶作製と成長過程の観察 : 融液成長I
-
イオンビームスパッタ法によるBi置換YIG膜の作製 : エピタキシー
-
4a-I-5 フラックス法における結晶化過程
-
(YNd)_3Fe_5O_膜の複屈折 : 評価
-
(Ynd)_3Fe_5O_膜のLPE成長 : フラックス成長
-
YIG:Gi単結晶作製と磁気光学的性質
-
1p-E-9 YIG:Biの結晶作製と磁気光学的性質
-
原子力エレクトロニクスの新展開 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
-
超伝導トンネル接合検出器におけるX線信号生成と磁束量子の関係 (特集 低温放射線検出器)
-
計測標準技術分野における研究の現状と今後の展開 (シリーズ特集 電総研2000年--研究の現状と今後の展開の方向(3)計測標準技術分野)
-
31a-Y-11 Fe-Si系化合物の作製と評価(IV)
-
α-SiCへのGa+イオン注入によるp型層の形成 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
-
5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
-
7a-PS-1 シリコンの固相結晶成長に対する水素の影響
-
30p-L-10 Fe-Si系化合物の作製と評価(II)
-
水素終端シリコン表面上でのシリコンの固相結晶成長
-
Fe-Si系半導体の作製と評価
-
28a-S-7 Si(001)表面における数原子層のFeと基板との反応
-
中エネルギ-イオン散乱分光システムの開発 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
-
イオンビ-ム誘起結晶成長に対する不純物の影響 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
-
中エネルギ-イオンビ-ムによる半導体の結晶成長 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
-
化合物半導体・合金半導体のイオンビ-ム誘起結晶成長 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
-
4a-F-1 (Bi, Y)_3Fe_5O_の磁性
-
1a-R-10 チャネリング法によるBP単結晶の照射損傷測定
-
4a-K-11 FeBO_3のラマン散乱
-
1a-BH-3 Fe-B非晶質合金の照射効果
-
Nd:GGG膜のLPE成長とその光学的性質
-
6p-Y-1 異常水と通常水の石英毛管内における挙動
-
30p-PS-22 DyMn_2(Si_Ge_)_2の磁気構造
-
29p-APS-65 DyMn_2(Si_Ge_x)_2の磁性III : ^Dyメスバウアー分光
-
29p-APS-64 DyMn_2(Si_Ge_x)_2の磁性II : 中性子回折
-
29p-APS-63 DyMn_2(Si_Ge_x)_2の磁性I : 磁化測定
-
4a-U-11 NbのHe照射損傷分布測定
-
5a-U-6 Fe_CuxCr_2S4(X≈0.5)の磁性
-
1a-M-9 カルコゲンクロマイト単結晶のEPMAによる分析
-
27p-W-5 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜のMCDスペクトル
-
2p-X-20 Cd_Mn_xTe薄膜のMCDスペクトル(II)
-
27a-YJ-10 Feイオン注入Al_2O_3のGMR特性、磁気・構造特性
-
8a-YG-10 Au/Fe人工格子のCEMSとイオン照射効果
-
27a-K-1 ステンレス鋼の窒素イオン照射効果
-
5a-Z-10 304オーステナイトステンレス鋼における希ガスイオン照射効果 II
-
12a-T-5 Fe_3BO_6のスピン構造に及ぼすCoの効果
-
Cz法によるGLGG単結晶の育成 : 融液成長II
-
25a-M-6 Fe_3BO_6のスピン再配列
-
10a-K-8 弱強磁性体Fe_3BO_6の光学的および磁気的性質
-
12a-Q-7 弱強磁性体FeBO_3における多重マグノンサイドバンド
-
6p-L-4 FeBO_3の2マグノンラマン散乱
-
3p GF-7 トラベリングヒータ法によるCdCr_2Se_4単結晶成長(III)
-
31p GM-5 Fe_Cu_xCr_2S_4のXPSおよびメスバウアースペクトル
-
強磁性半導体CdCr_2Se_4単結晶の評価 : 結晶評価
-
強磁性半導体CdCr_2Se_4単結晶のフラックス法による成長 : フラックス成長
-
9p-Q-3 CdCr_2X_4(X:S,Se)の電子構造とスピン依存フォノンラマン散乱
-
イオンビームスパッタ法によるLa置換Bi_3Fe_5O_膜作成の試み : 薄膜
-
5a-F-11 RMn_2X_2(R=Gd,Dy:X=Si,Ge)のNMR
-
5a-F-12 DyMn_2Si_2の磁性 II・中性子回折
-
5a-F-11 DyMn_2Si_2の磁性 I.^Dyメスバウアー分光
-
8p-S-1 FeBO_3の磁性
-
9p-Q-2 CdCr_2X_4(X:S,Se)のもう1つのred shift遷移
-
5p-F-16 Cd_Fe_xCr_2S_4の異常なファラデー効果
-
7p-G-4 磁性半導体CdCv_2X_4の変調分光
-
8p-N-3 CdC_Se_4のフオークト効果と磁気直線二色性
-
8p-N-2 Cd_Fe_xCr_2S_4のフオークト効果と磁気直線二色性
-
7p-J-4 磁性半導体CdCv_2X_4の温度変調反射スペクトルと磁気円偏光二色性
-
4p-Y-15 Cd_Fe_xCr_2S_4の磁気光学的性質
-
10p-T-15 磁性半導体CdCr_2S_4の温度変調反射スペクトル
-
12p-M-11 Cd_Fe_xCr_2S_4の磁性と光学的性質
-
4a-AH-10 トラベリングヒータ法によるCdCr_2Se_4単結晶成長II
-
3a-AG-7 Fe_yCr_2S_4(y
-
31p-LD-14 Fe_Cu_xCr_2S_4系の電気伝導におけるFe^およびFe^イオンの寄与
-
3p-KG-2 Fe_3BO_6のスピン再配列 II
-
24a-H-16 FeBO_3の光吸収の微細構造 : 多重マグノンか多重フォノンか
-
31p-LD-13 トラベリングヒータ法によるCdCr_2Se_4単結晶成長
-
31p-LD-12 CdCr_2Se_4のフラックス法による単結晶成長(II)
-
10a-D-3 Fe_Cu_xCr_2S_4の磁気抵抗効果(II)
-
10a-D-1 クラックス法によるCdCr_2Se_4の単結晶成長
-
5p-F-15 Fe_Cu_xCr_2S_4系の熱起電力の雰囲気熱処理効果
-
5a-X-1 Fe_Cu_xCr_2S_4系の磁性と電気的性質
-
-
TESマイクロカロリメーターの開発
-
準粒子トラップ層を持つ超伝導トンネル接合型X線検出器の開発
-
超伝導トンネル接合検出器におけるX線信号生成と磁束量子の関係
-
5p-F-14 Fe_Cu_xCr_2S_4の磁気抵抗効果
-
12p-M-10 (Fe,Cu)Cr_2S_4系の磁性と電気伝導
-
2p-M1-5 BaFeO_の磁性(磁性(酸化物))
-
1a-B2-8 Bi_3Fe_5O_ ガーネットの磁気光学的性質(イオン結晶・光物性)
-
31a-A5-11 イオン照射を受けたNbCのチャネリング実験(31a A5 放射線物理)
-
30a-BH-3 磁性ガーネットの磁気光学効果と光学異方性(主題:磁気光学の現状と展望,磁性シンポジウム)
-
31p-W-2 水素終端シリコン表面と鉄との反応(31pW 放射線物理,放射線物理)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク