31a-A5-11 イオン照射を受けたNbCのチャネリング実験(31a A5 放射線物理)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
著者
関連論文
- 超伝導転移端(TES)マイクロカロリメーターアレイの開発
- ブリッジ構造超伝導転移端マイクロカロリメーターのX線信号波形解析
- 超伝導転移を利用したカロリーメーターの設計と作製
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 原子力エレクトロニクスの新展開 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 超伝導トンネル接合検出器におけるX線信号生成と磁束量子の関係 (特集 低温放射線検出器)
- 計測標準技術分野における研究の現状と今後の展開 (シリーズ特集 電総研2000年--研究の現状と今後の展開の方向(3)計測標準技術分野)
- 31a-Y-11 Fe-Si系化合物の作製と評価(IV)
- α-SiCへのGa+イオン注入によるp型層の形成 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
- 7a-PS-1 シリコンの固相結晶成長に対する水素の影響
- 30p-L-10 Fe-Si系化合物の作製と評価(II)
- 水素終端シリコン表面上でのシリコンの固相結晶成長
- Fe-Si系半導体の作製と評価
- 28a-S-7 Si(001)表面における数原子層のFeと基板との反応
- 中エネルギ-イオン散乱分光システムの開発 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- イオンビ-ム誘起結晶成長に対する不純物の影響 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- 中エネルギ-イオンビ-ムによる半導体の結晶成長 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- 化合物半導体・合金半導体のイオンビ-ム誘起結晶成長 (超先端加工システムの研究開発) -- (中高エネルギ-イオンビ-ム技術の評価)
- 4a-F-1 (Bi, Y)_3Fe_5O_の磁性
- 1a-R-10 チャネリング法によるBP単結晶の照射損傷測定
- 4a-U-11 NbのHe照射損傷分布測定
- TESマイクロカロリメーターの開発
- 準粒子トラップ層を持つ超伝導トンネル接合型X線検出器の開発
- 超伝導トンネル接合検出器におけるX線信号生成と磁束量子の関係
- 31a-A5-11 イオン照射を受けたNbCのチャネリング実験(31a A5 放射線物理)
- 31p-W-2 水素終端シリコン表面と鉄との反応(31pW 放射線物理,放射線物理)