大成 誠之助 | 筑波大院数物
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概要
関連著者
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大成 誠之助
筑波大院数物
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大成 誠之助
筑波大学物理工学系
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松石 清人
筑波大院数物
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大成 誠之助
筑波大物質工
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松石 清人
筑波大物質工
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松石 清人
筑波大数理物質
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三谷 武志
筑波大物質工
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田中 智
阪府大院理
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田中 智
筑波大物質工
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下河原 匡哉
筑波大院数物
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牧田 行弘
筑波大物質工
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石原 孝洋
筑波大物質工
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中野 智志
物材機構
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馮 叶
産総研ナノテク
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中野 智志
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ超高圧グループ
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瀬戸 章文
独立行政法人産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
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安藤 功兒
電総研
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仲間 健一
日本板硝子
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千葉 淳弘
筑波大
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千葉 淳弘
筑波大学物理工学系
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大成 誠之助
筑波大 物工
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久保 雄一郎
筑波大物質工
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瀬戸 章文
産総研
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瀬戸 章文
産業技術総合研究所マイクロ・ナノ機能広域発現研究センター
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瀬戸 章文
産業技術総合研究所
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花村 榮一
千歳科技大
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松石 清人
筑波大学物質工学系
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折井 孝彰
理研
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松尾 拓
筑波大物質工
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西野 秀明
筑波大物質工
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中野 智志
物質・材料研究機構
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瀬戸 章文
金沢大学理工学域
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安藤 功児
電総研
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吉井 哲郎
日本板硝子
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下河原 匡哉
筑波大物質工
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馮 叶
筑波大物質工
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河村 知史
筑波大物質工
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瀬戸 章文
機械技術研究所
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佐々木 将人
筑波大物質工
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折井 孝彰
(独)産業技術総合研究所マイクロ・ナノ機能広域発現研究センター
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三谷 武志
筑波大学物質工学系
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瀬戸 章文
金大
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瀬戸 章文
金沢大
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内藤 一樹
筑波大院数物
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松井 一生
筑波大院数物
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新井 剛
筑波大院数物
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神事 裕太
筑波大院数物
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皆見 健太
筑波大院数物
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梅田 悟史
筑波大院数物
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亀卦川 卓美
物構研
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横山 侑子
電総研
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東 修平
千歳科学技術大学
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田上 尚男
電総研
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安藤 功見
電子技術総合研究所
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角田 大祐
筑波大院数物
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瀬戸 章文
金沢大学工学部
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横山 侑子
産総研エレクトロニクス
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花村 榮一
千歳科学技術大学
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東 修平
千歳科技大
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市川 敬
筑波大物質工
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田辺 行人
東大工物工
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Kerimova T.
Inst. Of Phys. Azerbaijan Academy Of Sciences
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亀卦川 卓美
KEK物構研
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折井 孝彰
産総研マイクロ・ナノ機能研究センター
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平澤 誠一
産総研マイクロ・ナノ機能研究センター
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瀬戸 章文
産総研マイクロ・ナノ機能研究センター
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松石 清人
筑波大質工
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大成 誠之助
筑波大質工
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Mao H.
カーネギー研
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鈴木 貴之
筑波大物質工
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Hemley R.
カーネギー研
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山本 亜寿香
筑波大院数物
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山梨 文嘉
筑波大物質工
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沼田 昭仁
筑波大物質工
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Chang Y.
釜山大
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Park C.
釜山大
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瀬戸 章文
広島大学工学部化学工学講座
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内藤 拓美
筑波大物質工
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Hashimzade F.
Inst. of Phys. Azerbaijan Academy of Sciences
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Allahverdi K.
Inst. of Phys. Azerbaijan Academy of Sciences
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Allakhverdiev K.
アゼルバイジャン科学アカデミー
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北村 直紀
筑波大物質工
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籠田 健一
筑波大物質工
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瀬戸 章文
(独)産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門レーザー微細加工研究グループ
著作論文
- 19aTA-2 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移における圧力効果(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pPSB-1 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4Pbl_6・2H_2Oの光学的性質と圧力誘起効果(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_xTe の合成と評価
- 24pZC-6 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移におけるカルコゲン置換効果(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の f-f 遷移における結晶場効果の温度依存性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 30pTE-12 (CH_3NH_3)PbBr_3の圧力誘起構造相転移と電子状態(30pTE グラファイト・高圧,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pXS-1 面共有及び頂点共有一次元有機無機ペロフスカイト半導体の光伝導(低次元物質)(領域5)
- 22aTA-7 頂点共有一次元ペロフスカイト型半導体 [NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5 の光学的性質 II
- 20pPSB-29 Cr_2O_3のラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 14pXD-14 ヘマタイトの多マグノン励起 III : ラマン分光(酸化物磁性, 領域 3)
- 28aPS-64 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質III(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aXS-6 希ガス中レーザーアブレーションにより生成されたサイズ選別Siナノ粒子の発光機構(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 17pRF-10 高圧下における鉛ハロゲン層状ペロフスカイト型半導体の励起子状態
- 25aPS-61 CdSeナノ粒子の高圧下光学特性におけるサイズ効果(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 29aZK-5 (ZnCd)-In-(SSe) 系非晶質半導体の局所構造と光学的性質 II
- 28pTC-5 非晶質半導体(ZnCd)-In-(SSe)系の局所構造と非晶質状態
- 18aRG-8 一次元有機無機複合型半導体の圧力誘起構造相転移と電子状態(分子磁性・高圧物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aRG-8 C_ナノチューブのラマン散乱と光学的性質(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aYF-5 C_ナノウィスカーの光誘起構造変化と残留溶媒分子の効果(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aPS-74 逆ミセル法によって作製したCdSナノ粒子の高圧下における構造と光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSB-3 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-95 (NH_2CH=NH_2)_x(CH_3NH_3)_PbBr_3の光学的性質におけるケミカルプレッシャー効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-89 レーザーアブレーション法によるIII-VI族化合物半導体ナノ粒子の作製と光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-87 逆ミセル法によって作製されたInSナノ結晶の光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-86 逆ミセル法によって作製したEu添加CdSナノ結晶の発光過程(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-68 有機無機複合型層状ペロフスカイト半導体の光学的性質における金属陽イオン置換効果(領域 5)
- 12pXD-9 有機無機複合型層状及び立方ペロフスカイト半導体の高圧下における構造相転移と励起子状態(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 30aPS-62 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープしたCdSナノ結晶の作製とその光学的性質II(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 22pPSA-44 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープした CdS ナノ結晶の作製とその光学的性質
- レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価
- 27aYG-4 Sm添加カルコゲナイド系非晶質半導体のf-f遷移における結晶場効果(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 22pTL-3 Sm 添加カルコゲナイド系非晶質半導体の光学的性質
- 22pPSA-50 レーザーアブレーション法による GaSe ナノ粒子の作製と光学的性質
- 17pYJ-4 MGa_2Se_4(M=Cd, Zn)単結晶の圧力下ラマン散乱スペクトル
- 22pTL-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の光学的性質
- 21pXF-10 A_XC_(A=K, Rb : x=3,6) の圧力下ラマン散乱
- 29pZB-10 アルカリ金属ドープ C_ のラマン散乱の圧力温度依存性
- 28pZH-7 (CH_3NH_3) PbX_3 (X=CI, Br) 単結晶の高圧下光物性 II
- 17pRF-11 鉛ハロゲン系ペロフスカイト単結晶(CH_3NH_3)PbBr_3の高圧下光物性
- 30aXD-1 C_単結晶の高圧下光照射効果の温度依存性
- 30aYG-9 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4PbI_6・2H_2Oの発光とラマン散乱
- 28pTC-4 非晶質半導体As-S系のサブバンドギャップ光誘起構造変化と光準弾性散乱