松石 清人 | 筑波大物質工
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概要
関連著者
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松石 清人
筑波大物質工
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大成 誠之助
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筑波大学物理工学系
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筑波大数理物質
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三谷 武志
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田中 智
阪府大院理
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田中 智
筑波大物質工
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牧田 行弘
筑波大物質工
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石原 孝洋
筑波大物質工
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馮 叶
産総研ナノテク
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久保 雄一郎
筑波大物質工
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下河原 匡哉
筑波大院数物
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Mao H.
カーネギー研
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Hemley R.
カーネギー研
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Gregoryanz E.
カーネギー研
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西野 秀明
筑波大物質工
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下河原 匡哉
筑波大物質工
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馮 叶
筑波大物質工
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河村 知史
筑波大物質工
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佐々木 将人
筑波大物質工
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北村 直紀
筑波大物質工
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清本 晋作
筑波大物質工
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花村 榮一
千歳科学技術大学
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花村 榮一
千歳科技大
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市川 敬
筑波大物質工
-
松尾 拓
筑波大物質工
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田辺 行人
東大工物工
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Kerimova T.
Inst. Of Phys. Azerbaijan Academy Of Sciences
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Mao H.k.
カーネギー研
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鈴木 貴之
筑波大物質工
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Hemley R.J.
カーネギー研
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山梨 文嘉
筑波大物質工
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沼田 昭仁
筑波大物質工
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Chang Y.
釜山大
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Park C.
釜山大
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内藤 拓美
筑波大物質工
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Hashimzade F.
Inst. of Phys. Azerbaijan Academy of Sciences
-
Allahverdi K.
Inst. of Phys. Azerbaijan Academy of Sciences
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Allakhverdiev K.
アゼルバイジャン科学アカデミー
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籠田 健一
筑波大物質工
-
梶原 敏彦
筑波大物質工
-
小倉 秀樹
筑波大物質工
著作論文
- 24pZC-6 Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移におけるカルコゲン置換効果(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の f-f 遷移における結晶場効果の温度依存性(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 27pXS-1 面共有及び頂点共有一次元有機無機ペロフスカイト半導体の光伝導(低次元物質)(領域5)
- 22aTA-7 頂点共有一次元ペロフスカイト型半導体 [NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5 の光学的性質 II
- 20pPSB-29 Cr_2O_3のラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 17pRF-10 高圧下における鉛ハロゲン層状ペロフスカイト型半導体の励起子状態
- 29pWB-5 高温高圧下における液体・固体水素のプリュアン散乱とラマン散乱
- 20pWF-9 高温高圧下における液体・固体水素のブリュアン散乱とラマン散乱II
- 29aZK-5 (ZnCd)-In-(SSe) 系非晶質半導体の局所構造と光学的性質 II
- 28pTC-5 非晶質半導体(ZnCd)-In-(SSe)系の局所構造と非晶質状態
- 27aC-8 非晶質(GeSe_2)_(Bi_2Se_3)_xの局所結合状態とガラス形成能
- 20pPSB-3 逆ミセル法によって作製したInSナノ結晶の光学的性質II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-95 (NH_2CH=NH_2)_x(CH_3NH_3)_PbBr_3の光学的性質におけるケミカルプレッシャー効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-89 レーザーアブレーション法によるIII-VI族化合物半導体ナノ粒子の作製と光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-87 逆ミセル法によって作製されたInSナノ結晶の光学的性質(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-86 逆ミセル法によって作製したEu添加CdSナノ結晶の発光過程(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-68 有機無機複合型層状ペロフスカイト半導体の光学的性質における金属陽イオン置換効果(領域 5)
- 12pXD-9 有機無機複合型層状及び立方ペロフスカイト半導体の高圧下における構造相転移と励起子状態(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 30aPS-62 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープしたCdSナノ結晶の作製とその光学的性質II(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 22pPSA-44 逆ミセル法による希土類元素及び遷移金属元素をドープした CdS ナノ結晶の作製とその光学的性質
- 27aYG-4 Sm添加カルコゲナイド系非晶質半導体のf-f遷移における結晶場効果(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 22pTL-3 Sm 添加カルコゲナイド系非晶質半導体の光学的性質
- 22pPSA-50 レーザーアブレーション法による GaSe ナノ粒子の作製と光学的性質
- 17pYJ-4 MGa_2Se_4(M=Cd, Zn)単結晶の圧力下ラマン散乱スペクトル
- 22pTL-2 Nd 添加 Ge_Ga_2S_ 非晶質半導体の光学的性質
- 21pXF-10 A_XC_(A=K, Rb : x=3,6) の圧力下ラマン散乱
- 28pZH-7 (CH_3NH_3) PbX_3 (X=CI, Br) 単結晶の高圧下光物性 II
- 17pRF-11 鉛ハロゲン系ペロフスカイト単結晶(CH_3NH_3)PbBr_3の高圧下光物性
- 30aYG-9 量子ドット結晶(CH_3NH_3)_4PbI_6・2H_2Oの発光とラマン散乱
- 28pTC-4 非晶質半導体As-S系のサブバンドギャップ光誘起構造変化と光準弾性散乱
- 23pM-9 0次元鉛ハロゲン系ペロフスカイト半導体(CH_3NH_3)_4PbI_6・2H_2Oのラマン散乱
- 27pE-1 C_単結晶の超高圧下での光照射効果
- 26pYB-15 立方ペロフスカイト型混晶系(CH_3NH_3)Pb(CI_Br_x)_3の構造相転移における電子状態の変化
- 27aC-7 Ge_S_x非晶質薄膜(0≤X≤0.67)の光学的性質に及ぼす光照射・熱アニール効果
- 8pSE-1 固体C60の圧力下光誘起構造変化におけるヨウ素ドープ効果II(高圧物性,領域7)