田上 尚男 | 電総研
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概要
関連著者
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田上 尚男
電総研
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坂本 勲
電総研
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林 伸行
久留米工業大学
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林 伸行
電総研
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古林 文二
電総研
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安藤 功兒
電総研
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千葉 淳弘
筑波大
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安藤 功見
電子技術総合研究所
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安藤 功児
電総研
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那須 三郎
阪大基礎工
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縄手 雅彦
島根大学総合理工学部
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藤田 英一
阪大基礎工
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本多 茂男
島根大学総合理工学部電子制御システム工学科
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本多 茂男
広島大
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金山 敏彦
電総研
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本多 茂男
島根大理工
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谷本 久典
阪大基礎工
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塚原 園子
電総研
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縄手 雅彦
島根大学
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安藤 功兒
電子技術総合研究所
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千葉 淳弘
筑波大学物理工学系
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植松 健一
早大理工研
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植松 健一
早大理工
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秋本 良一
電子技術総合研究所
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田上 尚男
電子技術総合研究所
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本多 茂男
島根大学総合理工学部
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金丸 正剛
産業技術総合研究所
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安室 千晃
産業技術総合研究所
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大成 誠之助
筑波大院数物
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大柳 宏之
電総研
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平野 貴之
(株)神戸製鋼所
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小林 寿夫
電総研
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大成 誠之助
筑波大学物理工学系
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大成 誠之助
筑波大 物工
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津田 裕之
早大理工
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牧田 雄之助
電総研
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Zaets W.
電総研
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秋本 良一
電総研
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縄手 雅彦
島根大
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金丸 正剛
電総研
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藤田 英一
静岡理工科大学
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田上 尚男
産業技術総合研究所
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池田 裕二郎
原研東海研
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伊藤 順司
産業技術総合研究所
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小澤 健
武蔵工業大学
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藤田 英一
大阪大学 基礎工学科
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伊藤 順司
電総研
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平野 貴之
神戸製剛
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小澤 健
武蔵工大
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安室 千晃
東海大
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本多 茂雄
島根大
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山根 秀之
広島大
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本多 茂男
広島大工
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坂本 勲
電子技術総合研究所
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小池 正記
電子技術総合研究所
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安藤 功兒
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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富士沢 敦
阪大基礎工
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岩嶋 輝明
早大理工
著作論文
- GaAs中に形成したサブミクロンMnAs強磁性微粒子
- 31p-YH-9 Ni系希薄磁性半導体の磁気光学スペクトル
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_xTe の合成と評価
- 30p-R-10 新しい希薄磁性半導体(Zn, Ni)Teの合成とそのp-d交換相互作用の評価
- 磁気多層膜と放射線検出器
- 遷移金属イオンを含むGaAsの合成と評価 -III-V族新希薄磁性半導体の合成の試み-
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_χTeの合成と評価
- 3a-PS-14 希土類金属イオンを注入したFe,Ni-Fe薄膜
- 3)[チュートリアル]MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ(情報ディスプレイ)
- 27a-YJ-10 Feイオン注入Al_2O_3のGMR特性、磁気・構造特性
- 8a-YG-10 Au/Fe人工格子のCEMSとイオン照射効果
- 27a-K-1 ステンレス鋼の窒素イオン照射効果
- 5a-Z-10 304オーステナイトステンレス鋼における希ガスイオン照射効果 II
- 31p-F-2 304オーステナイトステンレス鋼における希ガスイオン照射効果
- 4a-X-11 ボロン蒸着鋼におけるイオンミキシング層の特性
- 30a-S-1 重イオン照射されたB/Steelのメスバウア効果 II
- Fe系多層膜の磁気特性, GMRおよびCEMS
- 3p-PS-47 Fe中に打込まれた^Sn内部転換電子メスバウアー分光
- Feイオン注入Al_2O_3のトンネル磁気抵抗効果
- GaAsのイオン照射損傷の蓄積機構 (活性粒子による新表層材料創製の研究)
- 5a-P-7 重イオン照射された B/Steel のメスバウア効果
- 27p-H-5 ^Fe注入AgへのHeイオン照射 II
- 環境半導体とは? (〈特集〉環境半導体)
- 環境半導体を用いた光センサー (特集 高性能化するセンサーとセンシング材料) -- (先端センサーとセンシング材料)
- 電子デバイス加工における環境制御技術 (ナノメ-トル領域の計測制御技術)
- 28a-LG-7 Ni中にイオン注入した^Sn内部転換電子メスバウアー分光(格子欠陥)
- 1a-M1-11 金属中に打込まれた^Sn内部転換電子メスバウアー分光(磁性(薄膜・多層膜・人工格子))
- 29p-PS-19 キセノンイオンを注入したNi-Fe薄膜(磁性(薄膜,アモルファス))